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J-GLOBAL ID：202202278514904717   整理番号：22A0956690

ヒ素/アンチモン化物トンネル界面無接合TFETにおける極性ゲート促進ソースホールプラズマに及ぼすソース電極金属仕事関数の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of source electrode metal work function on polar gate prompted source hole plasma in arsenide/antimonide tunneling interfaced junctionless TFET

著者 (2件)： Sharma Samriti (Department of Applied Physics, Delhi Technological University, Delhi, India) ,  Chaujar Rishu (Department of Applied Physics, Delhi Technological University, Delhi, India)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 32  号： 4  ページ： 044004 (10pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多くの研究が,接合レストンネル電界効果トランジスタ(JLTFET)におけるソースとチャネル領域極性を誘起する正孔と電子電荷プラズマの保持に及ぼす制御ゲートと極性ゲート(PG)の影響を探究した。しかし,PGは,p+促進源における正孔プラズマの保持の原因となる唯一のものではなく,ソース電極金属(SEM)とp+促進源(SEM/S)の界面近くの正孔プラズマは,SEM仕事関数の選択によって影響を受ける。本論文は,他の文献において未調査である,ひ化物/アンチモン化物トンネル界面ヘテロ材料JLTFET(HJLTFET)の重要なアナログ特性を研究するために,p+促進源に関するPGとSEM仕事関数の相互重要性の包括的な調査を特色とする。HJLTFETのソース電極として,3つの金属-W(4.55eV),Mo(4.65eV),およびPd(5.3eV)を考察した。SEM仕事関数では,p+はソース(WとMo)よりも少なく,Schottky接触は,SEMとp+が誘起したソース界面近くの正孔プラズマの枯渇により形成される。これは,ショットキー界面への電子の望ましくない移動によって引き起こされたチャネル界面へのソースでの即時電流阻害をもたらす。Schottkyトンネリング現象を,HJLTFETの過小評価ドレイン電流を研究するために,ユニバーサルショットキートンネル(UST)モデルを実行することによって考察した。しかし,USTモデルは,正孔プラズマがオーム接触形成によって保存されるので,p+促進源(Pd)より高いSEM仕事関数に対して不適当になる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  *プラズマ ,  *仕事関数 ,  正孔 ,  接合 ,  電荷 ,  電流 ,  トンネル効果 ,  ヒ化物 ,  *アンチモン化物 ,  Ohm接触 ,  チャネル
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  Schottky接触 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (10件)： ヒ素 ,  アンチモン化物 ,  トンネル ,  界面 ,  TFET ,  極性 ,  ゲート ,  促進 ,  ソース電極 ,  仕事関数