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J-GLOBAL ID：202202278516434089   整理番号：22A0740290

高性能広帯域光検出器のための二次元p-n接合のゲート可変光応答【JST・京大機械翻訳】

Gate tunable photoresponse of a two-dimensional p-n junction for high performance broadband photodetector

著者 (14件)： Tran Thi Uyen (Department of Smart Fab Technology, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon-si 16419, Republic of Korea) ,  Nguyen Duc Anh (Division of Physics and Semiconductor Science, Dongguk University, Seoul 04620, Republic of Korea) ,  Duong Ngoc Thanh (Faculty of Materials Science and Engineering, Phenikaa University, Hanoi 12116, Viet Nam) ,  Park Dae Young (Department of Physics and Department of Energy Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea) ,  Nguyen Duc Hieu (Department of Energy Science, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon-si 16419, Republic of Korea) ,  Nguyen Phuong Huyen (Department of Smart Fab Technology, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon-si 16419, Republic of Korea) ,  Park Chulho (Department of Energy Science, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon-si 16419, Republic of Korea) ,  Lee Juchan (Department of Energy Science, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon-si 16419, Republic of Korea) ,  Ahn Byung Wook (Department of Energy Science, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon-si 16419, Republic of Korea) ,  Ahn Byung Wook (Center for Integrated Nanostructure Physics (CINAP), Institute for Basic Science (IBS), Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Im Hyunsik (Division of Physics and Semiconductor Science, Dongguk University, Seoul 04620, Republic of Korea) ,  Lim Seong Chu (Department of Smart Fab Technology, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon-si 16419, Republic of Korea) ,  Lim Seong Chu (Department of Energy Science, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon-si 16419, Republic of Korea) ,  Jeong Mun Seok (Department of Physics and Department of Energy Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea)
資料名： Applied Materials Today  (Applied Materials Today)
巻： 26  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3082A  ISSN： 2352-9407  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)van der Waals(vdW)材料とそれらのヘテロ構造に基づく光電子デバイスは,それらの興味深い性質のために有望である。しかし,広い検出範囲にわたる高性能光検出器の達成はまだ限られている。特に,近赤外(NIR)領域における検出は,今日まで比較的低い応答性のため,うまく達成されていない。ここでは,ReS_2/Te vdWsヘテロ構造を用いた可視からNIRへの効率的な光検出を報告する。入射パワーに対する光電流の依存性から,バックゲート電圧を適用することにより,支配的な動作機構が光ゲート効果と光伝導効果の間でスイッチできることが明らかになった。ReS_2/Te光検出器は,458nmで3×106AW-1,1062nmレーザー照射で1×106AW-1,強い光ゲート効果から生じる超高光伝導利得(~10~8まで)を示した。これらの優れた性能は,ReS_2/Te vdWsヘテロ構造が実用化における高性能広帯域光検出器に適していることを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *応答 ,  光伝導 ,  光電流 ,  電圧 ,  *光検出器 ,  応答特性 ,  テルル ,  レーザ照射 ,  素子構造 ,  近赤外線 ,  利得 ,  *二次元 ,  *光検出 ,  *広帯域
準シソーラス用語： *光応答 ,  バックゲート ,  ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 高応答性 ,  広帯域 ,  ゲート同調 ,  ReS_2 ,  2D Te ,  光検出器

分類 (4件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高性能 ,  広帯域 ,  光検出器 ,  p-n接合 ,  ゲート ,  可変 ,  光応答