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J-GLOBAL ID:202202278642115015   整理番号:22A1152170

刺激応答性高分子による双安定性,残留,リード/ライトメモリ,および論理ゲート機能【JST・京大機械翻訳】

Bistability, Remanence, Read/Write-Memory, and Logic Gate Function via a Stimuli-Responsive Polymer
著者 (6件):
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巻: 34  号: 13  ページ: e2108833  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0001A  ISSN: 0935-9648  CODEN: ADVMEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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刺激応答性材料は外部トリガーに応じてそれらの状態を変化させる。異なる状態間のスイッチングは,状態間の遷移がヒステリシスを示すならば,情報を書き,保存し,読むことを可能にする。熱応答高分子は膨潤と脱膨潤溶液状態間の体積相転移に対して固有のヒステリシスを示した。ここでは,このヒステリシスが双安定性,残留磁気,および可逆的書き込み/読取情報記憶を実現するために使用できることを示した。これは,最も簡単で最も広く使用された熱応答性高分子,ポリ(N-イソプロピルアクリルアミド(PNIPAM),およびPNIPAMブロック共重合体に対して実証され,ヒステリシス窓を広げた。ヒステリシスは相転移中のクラスタドメイン集合/解離に関連することを示した。情報はレーザを用いて,あるいは薄膜後方散乱ディスプレイに加熱または冷却ペンチップを用いて熱的に書き込むことができる。双安定状態は,さらにpHによってスイッチすることができ,AND論理ゲート機能を可能にした。さらに,異常な記憶状態を発見し,そこでは,情報がヒステリシスウィンドウにおいて可視であり,より高い温度では見えず,符号化された情報を隠すことを可能にした。ヒステリシスは応答材料に対する非常に一般的な固有現象であるので,この原理を符号化し,保存するためのこの原理は広範囲の応答材料に潜在的に適用できる。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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論理回路 

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