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J-GLOBAL ID：202202278992670370   整理番号：22A1120529

結晶シリコンとナノ複合体結合ZnOナノドットSnO_2の間のヘテロ接合と光起電力性能の最適化【JST・京大機械翻訳】

Heterojunction between crystalline silicon and nanocomposite coupled ZnO・SnO₂ and optimization of its photovoltaic performance

著者 (6件)： Muchahary Deboraj (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Raipur, 492010, India) ,  Ram Lakum Sai (Department of Electronics and Communication Engineering, SR University, Warangal, 506371, India) ,  Narzary Rewrewa (Department of Electronics and Communication Engineering, Tezpur University, Assam, 784028, India) ,  Sahu Partha Pratim (Department of Electronics and Communication Engineering, Tezpur University, Assam, 784028, India) ,  Bhattarai Sagar (Department of Basic and Applied Science, National Institute of Technology, Arunachal Pradesh, 791113, India) ,  Tayal Shubham (Department of Electronics and Communication Engineering, SR University, Warangal, 506371, India)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 38  ページ： 15-21  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ZnO/SnO_2ナノコンポジットをヘテロ接合パートナーとして用い,光起電力用途のためのSiに対するヘテロ接合パートナーとして,その性能を最適化した。1012cm-2以上の界面欠陥は,デバイスの短絡電流密度,フィルファクタおよび効率を低下させる。さらに,最良のデバイス性能は280K付近で観測された。デバイスの接合は,それぞれ10-4Acm-2と21のオーダーの暗飽和電流密度と理想因子を有する。さらに,4つの異なる有機材料を,同じデバイスに背面場層(BSL)として用い,性能を改善した。BSLとしてCuSCNを有するデバイスに対して,それぞれ4.1%および0.591Vの高い変換効率および開回路電圧を得た。その結果,最適なデバイス性能のために,BSL材料のエネルギーバンドギャップと電子親和力の組み合わせ値の範囲を調べた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *光起電力 ,  *最適化 ,  太陽電池 ,  電圧 ,  ケイ素 ,  *酸化亜鉛 ,  電流密度 ,  電子親和力 ,  *ナノ構造 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *ナノドット ,  開回路電圧 ,  フィルファクタ ,  理想因子 ,  短絡電流密度 ,  *結晶シリコン ,  飽和電流密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 太陽電池 ,  SCAPS ,  最適化 ,  BSL ,  PV ,  SCLC

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 結晶シリコン ,  ナノ複合体 ,  ZnO ,  ナノドット ,  ヘテロ接合 ,  光起電力 ,  最適化