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J-GLOBAL ID：202202279138851870   整理番号：22A0971123

SiGeソースドーピングレス二重ゲートトンネルFET:増強性能を有する電荷プラズマ技術に基づく設計と解析【JST・京大機械翻訳】

A SiGe-Source Doping-Less Double-Gate Tunnel FET: Design and Analysis Based on Charge Plasma Technique with Enhanced Performance

著者 (4件)： Mishra Varun (Department of Electronics and Communication Engineering, Graphic Era (Deemed to be University), Dehradun, India) ,  Verma Yogesh Kumar (Department of Electronics and Communication Engineering, Lovely Professional University, Phagwara, India) ,  Gupta Santosh Kumar (Department of Electronics and Communication Engineering, MNNIT Allahabad, Prayagraj, India) ,  Rathi Vikas (Department of Electronics and Communication Engineering, Graphic Era (Deemed to be University), Dehradun, India)
資料名： Silicon  (Silicon)
巻： 14  号： 5  ページ： 2275-2282  発行年： 2022年 
JST資料番号： W4947A  ISSN： 1876-9918  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ソース材料としてSi_0.5Ge_0.5とSiを有する2つの無ドープ二重ゲートトンネル電界効果トランジスタ(DL-DG-TFET)を設計するために,独特の電荷プラズマ(CP)技術を採用した。CP方法論はランダムドーピング変動とドーピング活性化の問題を解決した。アナログとRF性能を,駆動電流,相互コンダクタンス,カットオフ周波数に関して,Si_0.5Ge_0.5ソースDL-DG-TFETとSiソースDL-DG-TFETの提案デバイスの両方に対して調べた。さらに,高次相互コンダクタンス(g_m2およびg_m3),VIP2,IMD3およびHD2に関して,提案したデバイスの両方に対して線形性および歪み解析を行った。Si_0.5Ge_0.5源DL-DG-TFETは,低エネルギーバンドギャップ材料およびより高い移動度のため,Si源DL-DG-TFETと比較して,より良好な性能特性と信頼性を有する。Si_0.5Ge_0.5ソースDL-DG-TFETで得られたスイッチング比は5×1014のオーダーであり,低電力用途のための適切な対応者となった。Copyright Springer Nature B.V. 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  *プラズマ ,  *電荷 ,  電流 ,  信頼性 ,  *ケイ素 ,  *ドーピング ,  相互コンダクタンス ,  *ソース【半導体】 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *二重ゲート ,  駆動電流 ,  低電力化 ,  歪解析 ,  *シリコンゲルマニウム ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： トンネル電界効果トランジスタ(TFET) ,  電荷プラズマ ,  無ドーピング ,  バンド間トンネリング(BTBT) ,  低エネルギーバンドギャップ材料

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： SiGe ,  二重ゲート ,  トンネルFET ,  増強 ,  電荷 ,  プラズマ ,  設計 ,  解析