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J-GLOBAL ID：202202279535139184   整理番号：22A1175440

広い周波数範囲でのRFマグネトロンスパッタリングにより得たAu/SrTiO_3/p-Si構造の誘電特性【JST・京大機械翻訳】

Dielectric Properties of Au/SrTiO₃/p-Si Structure Obtained by RF Magnetron Sputtering in a Wide Frequency Range

著者 (2件)： Kinaci Baris (Department of Physics, Faculty of Science, Istanbul University, Istanbul, Turkey) ,  Kinaci Baris (Photonics Research Center, Gazi University, Ankara, Turkey)
資料名： Silicon  (Silicon)
巻： 14  号： 6  ページ： 2717-2722  発行年： 2022年 
JST資料番号： W4947A  ISSN： 1876-9918  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チタン酸ストロンチウム(SrTiO_3)中間層を有するAu/p-Si構造の誘電特性を10-900kHz(ステップ100kHz)の周波数範囲で調べた。500°Cの基板温度で高周波(RF)マグネトロンスパッタリング法を用いてp型Si基板上にSrTiO_3薄膜を堆積した。Au/SrTiO_3/p-Si構造の誘電率(ε′),誘電損失(ε′),実弾性率(M′),虚数(M’),および電気伝導率(σ_ac)のような誘電パラメータを,100kHzのステップで10-900kHzの周波数範囲でアドミタンス分光法から得た結果を評価することによって計算した。得られた結果に従って,ε′値は周波数測定に依存して負の値を取る。Copyright Springer Nature B.V. 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 弾性係数 ,  電気伝導率 ,  薄膜 ,  誘電損失 ,  誘電率 ,  *誘電性 ,  HF【周波数】 ,  チタン酸ストロンチウム ,  虚数 ,  *スパッタ蒸着 ,  周波数測定 ,  基板温度
準シソーラス用語： アドミタンス ,  シリコンウエハ ,  *RFマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： SrTiO_3 ,  誘電特性 ,  周波数 ,  負の誘電率

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： RFマグネトロンスパッタリング ,  Au ,  Si ,  誘電特性