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J-GLOBAL ID:202202279652672993   整理番号:22A0976258

光起電応用のための溶媒自己揮発により調製したFAPbI_3ペロブスカイト膜【JST・京大機械翻訳】

FAPbI3 Perovskite Films Prepared by Solvent Self-Volatilization for Photovoltaic Applications
著者 (13件):
資料名:
巻:号:ページ: 1487-1495  発行年: 2022年 
JST資料番号: W5032A  ISSN: 2574-0962  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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反溶媒技術なしでペロブスカイト層を合成する簡単な方法を開発することは,ペロブスカイト太陽電池(PSC)の工業生産を容易にすることができる。相安定性問題のため,ホルマジニウム鉛三ヨウ化物ペロブスカイト層上の反溶媒フリー法について,限られた進歩がなされてきた。ここでは,従来の反溶媒法の代わりに揮発性溶媒2-メトキシエタノールの自己揮発により,ホルマジニウムヨウ化物(FAI)-PbI_2-NMP中間相を作製するため,FAPbI_3の非ペロブスカイト相を阻害する添加剤としてN-メチルピロリドン(NMP)を使用した。FAPbI_3膜の高品質純α相をアニーリングによる相転移により得た。異なるNMP量に影響されるペロブスカイト膜の光起電力特性を研究した。対応するPSCは,古典的反溶媒技術で作製したPSCの15.6%と比較して20.1%のPCEを示した。非カプセル化デバイスは貯蔵35日後に初期PCE値の~75%の効率を示す。この方法は,高い再現性と容易な操作のため,PSCのスケーラブルな生産に使用できる。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 
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