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J-GLOBAL ID：202202279744358499   整理番号：22A1149919

Approximate Storing機能を備えたMTJベース不揮発性SRAM回路の提案と評価

MTJ-based non-volatile SRAM circuit with Approximate Image-data Storing for energy saving

著者 (2件)： 宮内陽里 (芝浦工大 大学院理工学研究科) ,  宇佐美公良 (芝浦工大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
巻： 121  号： 412(VLD2021 76-105)  ページ： 51-56 (WEB ONLY)  発行年： 2022年02月28日 
JST資料番号： U2030A  ISSN： 2432-6380  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 磁気トンネル接合(MTJ:Magnetic Tunnel Junction)素子を利用した不揮発性メモリ(NVM:Non Volatile Memory)は,細粒度電源遮断が可能であるため,近年問題となっているリーク電流の増大を防ぐことができる。しかし,MTJにはストアエネルギーが大きいという問題がある。そのため,本研究では,データのビット列を分割し,正確なストアを必要としない部分でのストア時間を短縮するApproximate Storingを適用することで,低消費エネルギーを実現するNVSRAMを提案する。65nmプロセスを想定し,回路設計を行い,画像データ保存時におけるエネルギー削減量について,回路シミュレーション評価を行って有効性を明らかにした。(著者抄録)

シソーラス用語： *SRAM ,  *電力制御 ,  トンネル接合 ,  *不揮発性メモリ ,  回路設計 ,  回路シミュレーション ,  エネルギー ,  消費電力 ,  漏れ電流 ,  近似法 ,  電子装置 ,  LSI【IC】 ,  双安定回路 ,  構成
準シソーラス用語： IoTデバイス ,  *MTJ ,  NVFF ,  *パワーゲーティング ,  回路構造 ,  近似計算 ,  蓄積エネルギー ,  *低電力 ,  不揮発性フリップフロップ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (12件)：

• S. Rodriguez and B. Jacob, ′′Energy/Power Breakdown of Pipelined Nanometer Caches (90nm/65nm/45nm/32nm),” ISLPED’06 Proceedings of the 2006 International Symposium on Low Power Electronics and Design, 2006, pp. 25-30.
• S. Mittal, ′′A Survey of Techniques for Approximate Computing,′′ ACM Computing Surveys, Vol. 48, No. 4, Article 62, Mar. 2016.
• 與田博明, ′′垂直磁化方式の MTJ 記憶素子を用いたスピン注入書き込み MRAM,′′ 東芝レビュー, Vol66, No.9, 2011.
• Y. Shuto, S. Yamamoto and S. Sugahara, ′′Comparative study of power-gating architectures for nonvolatile SRAM cells based on spintronics technology,′′ 2014 IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems (APCCAS), pp. 699-702, 2014.
• 宇佐美公良, 工藤優, 平賀啓三, 屋上公二郎, ′′ストア/リストア動作のロバスト性を向上させた MTJ 利用不揮発性フリップフロップ回路,′′ 応用物理学会春季学術講演会, 2016.

タイトルに関連する用語 (5件)： MTJ ,  不揮発性 ,  SRAM ,  提案 ,  評価