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J-GLOBAL ID：202202279772305528   整理番号：22A1151375

マルチバンド5G通信システムのための>35dBc高調波除去による22.7~44.2GHz Darlington二重注入同期周波数3倍器【JST・京大機械翻訳】

A 22.7- to 44.2-GHz Darlington dual-injection injection-locked frequency tripler with >35dBc harmonic rejection for multiband 5G communication systems

著者 (6件)： Li Zhen (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Li Zhenrong (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Wang Xudong (The 54th Research Institute of CETC, Shijiazhuang, China) ,  Quan Xing (School of Mechano-electronic Engineering, Xidian University, Xi’an, China) ,  Wang Zeyuan (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Zhuang Yiqi (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
資料名： International Journal of Circuit Theory and Applications  (International Journal of Circuit Theory and Applications)
巻： 50  号： 4  ページ： 1064-1081  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0341B  ISSN： 0098-9886  CODEN： ICTACV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,ミリ波マルチバンド5世代(5G)通信システムをターゲットとするDarlington二重注入トポロジーに基づく超広帯域バラクタレス注入同期周波数3倍器(ILFT)を提示した。提案したDarlington二重噴射インジェクタを利用することにより,電流注入効率を改善した。したがって,バラクタを導入せずに,ロッキング範囲を著しく拡張した。さらに,Darlington二重噴射トポロジーは,望ましくない高調波を抑制することによって,高調波排除性能を強化する。65nm CMOS(相補金属酸化物半導体)技術に実装して,提案したILFTは22.7から44.2GHzまで動作でき,1.2V電源電圧で6.2mAを消費する。高調波拒絶は35dBc以上で,0.17mm2を占める。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  噴射 ,  *注入同期 ,  *高調波 ,  インゼクタ ,  *通信方式 ,  EHF波 ,  可変容量ダイオード ,  広帯域
準シソーラス用語： *マルチバンド ,  電流注入 ,  ロッキング ,  電源電圧 ,  *第5世代移動通信システム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 二重注入 ,  第5世代(5G) ,  周波数シンセサイザ ,  高調波除去 ,  注入同期周波数3倍器 ,  ロッキングレンジ(LR)

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (5件)： マルチバンド ,  5G ,  通信システム ,  高調波除去 ,  注入同期