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J-GLOBAL ID：202202279779059890   整理番号：22A0571685

半Heusler LiMgN合金の電子構造と光電子特性に及ぼす(Na,Si,Al,KまたはCa)ドーピングの影響:ab initioフレームワーク【JST・京大機械翻訳】

Effect of (Na, Si, Al, K or Ca) doping on the electronic structure and optoelectronic properties of half-Heusler LiMgN alloy: Ab initio framework

著者 (8件)： Ziat Younes (Engineering and Applied Physics Team (EAPT), Sultan Moulay Slimane University, Beni Mellal, Morocco) ,  Zarhri Zakaryaa (CONACYT-Tecnologico Nacional de Mexico/I.T. Chetumal, Insurgentes 330, Chetumal, 77013, QR, Mexico) ,  Hammi Maryama (Engineering and Applied Physics Team (EAPT), Sultan Moulay Slimane University, Beni Mellal, Morocco) ,  Hammi Maryama (Mohammed 5th University, Rabat, Morocco) ,  Belkhanchi Hamza (Engineering and Applied Physics Team (EAPT), Sultan Moulay Slimane University, Beni Mellal, Morocco) ,  Ifguis Ousama (Team of Analytical & Computational Chemistry, Nanotechnology and Environment, Faculty of Science and Technics, Sultan Moulay Slimane University, Beni Mellal, Morocco) ,  Cano Andres Dominguez (Tecnologico Nacional de Mexico/I.T. Chetumal, Insurgentes 330, C.P. 77013, Chetumal, Quintana Roo, Mexico) ,  Bastos Alicia Carrillo (Tecnologico Nacional de Mexico/I.T. Chetumal, Insurgentes 330, C.P. 77013, Chetumal, Quintana Roo, Mexico)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 343  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (Y Na,Si,Al,KまたはCa)ドーパントの効果をLiMgNの電子構造と光電子特性に関して調べた。本研究では,ab initioをフルポテンシャル線形化増強平面波(FP-LAPW)フレームワーク内で実行した。TranとBlahaによって提案された修正Becke-Johnsonポテンシャル近似(TB-mBJ)による一般化勾配近似をLiMgNに適用し,その中でMgは(Na-,Si-,Al-,K-,またはCa-)の6.25%の量で置換されている。結果は,非ドープLiMgNが3.954eVのバンドギャップを有することを示した。バンド構造と状態密度(DOS)解析は,(Y_SiまたはAl)とp型伝導率が(Y_Na,KまたはCa)で予測されるとき,n型伝導率を示した。誘電関数ε_2(ω)の虚数部をプロットし,その中で(Na,KおよびCa)のピークは,これらの元素に由来する正孔により高エネルギースケールへシフトした。また,吸収係数α(ω)と反射率R(ω)をプロットした。Siのα(ω)は他より高く,ピークは青色シフトで約350nmに現れた。Caのα(ω)は純粋なものに近く,CaドープLiMgNは可視領域の透明材料と考えられる。純粋なLiMgNとCaドープLiMgN合金のR(ω)が可視領域で10%であった。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸収係数 ,  *合金 ,  正孔 ,  *電子構造 ,  反射率 ,  *カルシウム ,  *ケイ素 ,  *マグネシウム ,  *ドーピング ,  平面波 ,  状態密度 ,  誘電関数 ,  ドーパント ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 可視領域 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： LiMgN ,  バンド構造 ,  タイプ伝導率 ,  誘電関数 ,  吸収係数

分類 (5件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (9件)： 合金 ,  電子構造 ,  光電子 ,  Na ,  Si ,  Al ,  Ca ,  ドーピング ,  フレームワーク