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J-GLOBAL ID：202202279793551982   整理番号：22A0917856

スイッチング速度の動的シミュレーションに適用したゲート遅れ効果を持つpHEMT挙動モデル【JST・京大機械翻訳】

pHEMT Behavioral Model with Gate- Lag Effects Applied to The Dynamic Simulation of Switching Speed

著者 (6件)： Li Bin (SKYWORKS SOLUTIONS, INC.,Technology Development Group,Newbury Park,California) ,  Metzger Andre G. (SKYWORKS SOLUTIONS, INC.,Technology Development Group,Newbury Park,California) ,  Cismaru Cristian (SKYWORKS SOLUTIONS, INC.,Technology Development Group,Newbury Park,California) ,  Ramanathan Ravi (SKYWORKS SOLUTIONS, INC.,Technology Development Group,Newbury Park,California) ,  Banbrook Hal Mark (SKYWORKS SOLUTIONS, INC.,Technology Development Group,Newbury Park,California) ,  Yang Yingying (SKYWORKS SOLUTIONS, INC.,Technology Development Group,Newbury Park,California)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2022  号： PAWR  ページ： 14-17  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： pHEMTデバイスをGaAs HBTと統合すると,RFフロントエンドモジュールにおける設計機能性と柔軟性が大幅に増加する。しかし,遅いスイッチングpHEMTデバイスの機会発生は,モジュールレベルで電力対時間(PVT)故障をもたらす。本論文では,ゲートラグ/電荷トラッピング効果を含む挙動モデルを示した。回路におけるスイッチング速度を推定するために動的シミュレーションで使用でき,設計サイクルにおいて潜在的タイミング問題を早期に同定できる。モデルは,スクリーニング試験,設計改善,および/または最適化性能のためのパス/フェイル限界の設定に使用できる。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  *シミュレーション ,  スイッチング ,  *故障 ,  電力 ,  ヒ化ガリウム ,  柔軟性 ,  スクリーニング
準シソーラス用語： *PHEMT ,  *スイッチング速度 ,  *挙動モデル ,  機能性 ,  電荷捕獲 ,  *動的シミュレーション ,  フロントエンドモジュール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： スイッチング速度 ,  動的シミュレーション ,  ゲート ,  遅れ ,  PHEMT ,  挙動モデル