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J-GLOBAL ID：202202279892656922   整理番号：22A1113492

PIC-MCCシミュレーションに基づくアノード層イオン源の放電特性の研究【JST・京大機械翻訳】

Study on discharge characteristics of anode layer ion source based on PIC-MCC simulation

著者 (7件)： Gui Binhua (Science and Technology on Vacuum Technology and Physics Laboratory, Lanzhou Institute of Physics, Lanzhou, 730000, China) ,  Yang Lamaocao (Science and Technology on Vacuum Technology and Physics Laboratory, Lanzhou Institute of Physics, Lanzhou, 730000, China) ,  Zhou Hui (Science and Technology on Vacuum Technology and Physics Laboratory, Lanzhou Institute of Physics, Lanzhou, 730000, China) ,  Luo Shuilian (Science and Technology on Vacuum Technology and Physics Laboratory, Lanzhou Institute of Physics, Lanzhou, 730000, China) ,  Xu Jian (Science and Technology on Vacuum Technology and Physics Laboratory, Lanzhou Institute of Physics, Lanzhou, 730000, China) ,  Ma Zhanji (Science and Technology on Vacuum Technology and Physics Laboratory, Lanzhou Institute of Physics, Lanzhou, 730000, China) ,  Zhang Yanshuai (Science and Technology on Vacuum Technology and Physics Laboratory, Lanzhou Institute of Physics, Lanzhou, 730000, China)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 200  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ALISのイオンビーム特性とエッチング性能の時空間発展を,実験とPIC-MCCシミュレーション法の組合せで研究した。ALISの放電特性とプラズマ発生はアノード電圧とAr流量によって著しく影響を受けることが分かった。アノード電圧が1200Vから2400Vまで増加すると,放電電流と電力の両方が明白な上昇傾向を示し,Ar流量が増加した。一方,シミュレーション結果は,放電チャネルにおける電荷密度が,アノード電圧またはAr流量の増加とともに急速に増加し,そして,Ar+イオンの放出エネルギーおよび密度は,効果的に強化され,そして,実験結果と良好に一致した。Ar+イオンビームの輸送空間は,3つの領域,すなわち,アノードシースとHall電流によって駆動される最大Ar+エネルギー値~220eVの発光領域,に分離できる。拡散領域,粒子衝突による運動エネルギー移動によるエネルギー減少;iii.基板シースによって駆動される加速領域は,爆弾イオンのエネルギー調整のための不可欠な因子として作用する。エッチング特性に関しては,エネルギーイオン衝撃により,表面は著しくエッチングされ,また,約41nm/minの最大エッチング速度が得られた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *イオン ,  *イオン源 ,  イオンビーム ,  *シミュレーション ,  電圧 ,  電流 ,  発光 ,  プラズマ生成 ,  *放電 ,  電力 ,  流量 ,  アルゴン ,  イオン衝突 ,  *アノード
準シソーラス用語： 放電電流 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： アノード層イオン源 ,  PIC-MCC ,  放電特性 ,  イオン輸送挙動 ,  エッチング特性

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (7件)： PIC ,  MCC ,  シミュレーション ,  アノード ,  イオン源 ,  放電特性 ,  研究