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J-GLOBAL ID：202202279901517545   整理番号：22A0924348

室温アンモニアセンサに近接するためのP型Sbドーピング階層的WO_3ミクロスフェア【JST・京大機械翻訳】

P-type Sb doping hierarchical WO₃ microspheres for superior close to room temperature ammonia sensor

著者 (9件)： Yao Guanyu (School of Biomedical Engineering, Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering, Key lab of Liaoning for Integrated Circuits and Medical Electronic Systems, Dalian University of Technology, Dalian 116024, PR China) ,  Yu Jun (School of Biomedical Engineering, Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering, Key lab of Liaoning for Integrated Circuits and Medical Electronic Systems, Dalian University of Technology, Dalian 116024, PR China) ,  Wu Hao (School of Biomedical Engineering, Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering, Key lab of Liaoning for Integrated Circuits and Medical Electronic Systems, Dalian University of Technology, Dalian 116024, PR China) ,  Li Zhongzhou (School of Biomedical Engineering, Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering, Key lab of Liaoning for Integrated Circuits and Medical Electronic Systems, Dalian University of Technology, Dalian 116024, PR China) ,  Zou Wenjing (School of Biomedical Engineering, Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering, Key lab of Liaoning for Integrated Circuits and Medical Electronic Systems, Dalian University of Technology, Dalian 116024, PR China) ,  Zhu Huichao (School of Biomedical Engineering, Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering, Key lab of Liaoning for Integrated Circuits and Medical Electronic Systems, Dalian University of Technology, Dalian 116024, PR China) ,  Huang Zhengxing (School of Biomedical Engineering, Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering, Key lab of Liaoning for Integrated Circuits and Medical Electronic Systems, Dalian University of Technology, Dalian 116024, PR China) ,  Huang Hui (School of Biomedical Engineering, Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering, Key lab of Liaoning for Integrated Circuits and Medical Electronic Systems, Dalian University of Technology, Dalian 116024, PR China) ,  Tang Zhenan (School of Biomedical Engineering, Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering, Key lab of Liaoning for Integrated Circuits and Medical Electronic Systems, Dalian University of Technology, Dalian 116024, PR China)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 359  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンチモンをドープした酸化タングステンのナノシート集合ミクロスフェアを水熱法により合成した。SbドーピングはWの原子価を変化させ,斜方晶から六方晶への部分的な結晶相遷移を促進し,表面形態を修正した。さらに,WO_3はn型半導体であり,100°C以上のガスに敏感である。本研究のSb-WO_3センサは25°Cから65°Cまでのp型半導体であり,NH_3に対する優れた感度,高速応答および良好な回復特性を示した。35°Cで,アンモニアに対する1at%Sb-WO_3の検出限界は200ppbであり,センサはいくつかの可能な干渉に対して良好な安定性と選択性を示した。室温でのSb-WO_3センサの実質的に改善されたセンシング性能は,Sbドーピングによって促進されたW原子価の変化に主に起因した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 水熱合成 ,  *アンチモン ,  *アンモニア ,  酸化タングステン ,  原子価 ,  *ドーピング ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  斜方晶系 ,  六方晶系 ,  検出限界 ,  *室温 ,  モルフォロジー ,  ナノシート
準シソーラス用語： 表面形態 ,  高速応答 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： WO_3 ,  Sbドーピング ,  ガスセンサー ,  低濃度 ,  Ammonia

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 室温 ,  アンモニア ,  Sb ,  ドーピング ,  ミクロスフェア