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J-GLOBAL ID:202202280189177073   整理番号:22A0427887

有望な中間バンド材料のためのCoドーピングによる単層MoS_2の光学および電子特性の改善【JST・京大機械翻訳】

Improved Optical and Electronic Properties of Single-Layer MoS2 by Co Doping for Promising Intermediate - Band Materials
著者 (3件):
資料名:
巻: 905  ページ: 96-102  発行年: 2022年 
JST資料番号: D0744C  ISSN: 1013-9826  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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そのユニークな光学的および電子的特性のため,二次元MoS_2は過去数年で広く研究されている。第一原理計算を用いて,Coの置換ドーピングが単層MoS_2のバンドギャップにおける半充填中間状態を誘起することを解明した。計算した吸収スペクトルは低エネルギー光子(0.8eV~1.5eV)の増強を示し,これは中間バンド太陽電池に望ましい。ドーピング濃度が増加すると,赤外と可視光(0.8eV-4.0eV)の反射率が減少し,材料の光起電力効率が改善された。著者らの結果は,中間バンド太陽電池材料としての非常にCoドープMoS_2の応用に光を当てた。Copyright 2022 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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