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J-GLOBAL ID:202202280219093006   整理番号:22A0958395

デバイスシミュレーションによる全無機正孔輸送材料フリーCsPbI_3/CsSnI_3ヘテロ接合太陽電池の設計【JST・京大機械翻訳】

Design of all-inorganic hole-transport-material-free CsPbI3/CsSnI3 heterojunction solar cells by device simulation
著者 (10件):
資料名:
巻:号:ページ: 025509 (11pp)  発行年: 2022年 
JST資料番号: W5570A  ISSN: 2053-1591  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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正孔輸送材料(HTM)フリーペロブスカイト太陽電池(PSC)は,有機正孔導体を有するサンドイッチ型PSCと比較して,安定性の向上とコスト低下により広く関心を引いている。吸収体層に対して,CsPbI_3は,その良好な化学成分安定性,優れたオプトエレクトロニック特性,および無機ハロゲン化物ペロブスカイトの中で最も適切なバンドギャップの競合候補になった。しかし,CsPbI_3ベースのHTMフリーPSCの電力変換効率は,従来のものよりはるかに劣っている。本研究では,全無機ペロブスカイト-ヘテロ接合CsPbI_3/CsSnI_3を吸収体として提案し,HTMフリーCsPbI_3/CsSnI_3PSCをSCAPS-1Dを用いた数値シミュレーションにより系統的に研究した。単一CsPbI_3吸収層を用いたHTMフリーPSCと比較して,HTMフリーCsPbI_3/CsSnI_3PSCは,拡張吸収範囲と増強性能を有した。最良の電池効率は,バックフロントAu電極およびバックフロントC電極を有するセルに対して,それぞれ15.60%から19.99%および13.87%から19.59%に増加した。HTMフリーCsPbI_3/CsSnI_3ヘテロ接合セルに対して,Cは,改善された安定性および低い製造コストで望ましいセル性能を達成できるので,バックフロント電極に対する良好な選択であることを明らかにした。これらの結果は,提案したHTMフリーCsPbI_3/CsSnI_3ヘテロ接合セルが光起電力応用に有望であることを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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太陽電池 
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