文献
J-GLOBAL ID:202202280220699270   整理番号:22A1082384

ほう素対ドープアームチェアグラフェンナノリボンにおけるπ磁性とスピン依存輸送【JST・京大機械翻訳】

π-magnetism and spin-dependent transport in boron pair doped armchair graphene nanoribbons
著者 (6件):
資料名:
巻: 120  号: 13  ページ: 132406-132406-6  発行年: 2022年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
炭素系磁性ナノ構造は長いスピンコヒーレント長を持ち,データ保存と情報処理におけるスピントロニクス応用に有望である。最近の実験は,一対の置換ホウ素原子(B_2)ドープ7原子幅アームチェアグラフェンナノリボン(B_2-7AGNRs)が固有磁性を持ち,スピントロニクスのための準1D磁性材料プラットフォームを提供することを示した。本研究では,B_2-7AGNRsの磁性が,ホウ素ドーパントに応答する2つのスピンチャネルにおける電子の不均衡から生じるπ電子によって寄与することを実証した。横方向グラフェンナノリボンヘテロ接合を構築することによる単一および二重ホウ素対ドープ7AGNRs(B_2-7AGNRsおよび2B_2-7AGNRs)のスピン依存輸送を第一原理計算を用いて調べた。Fermi準位近傍のスピン分裂π-電子状態を有するB_2-7AGNRに対して,バイアス電圧を適用することにより,90%以上の電流スピン分極と負の微分抵抗効果を得ることができることを示した。2B_2-7AGNRsでは,2つのスピン中心が反強磁性的に結合していることを見出した。これらの2つのスピン中心を強磁性と反強磁性配列に設定することによって,150.00%以上の磁気抵抗効果を示した。上記のスピン分極輸送特性に基づいて,B_2-7AGNRに基づくGNRヘテロ接合が準1Dスピントロニクスデバイスに潜在的に適用できることを明らかにした。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
その他の無機化合物の磁性  ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  ,  磁電デバイス 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る