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J-GLOBAL ID：202202280265626148   整理番号：22A1083048

HfO_2系強誘電体:性能強化,材料設計,応用まで【JST・京大機械翻訳】

HfO₂-based ferroelectrics: From enhancing performance, material design, to applications

著者 (8件)： Chen Haiyan (Powder Metallurgy Research Institute, State Key Laboratory of Powder Metallurgy, Central South University, Changsha, Hunan 410083, China) ,  Zhou Xuefan (Powder Metallurgy Research Institute, State Key Laboratory of Powder Metallurgy, Central South University, Changsha, Hunan 410083, China) ,  Tang Lin (Powder Metallurgy Research Institute, State Key Laboratory of Powder Metallurgy, Central South University, Changsha, Hunan 410083, China) ,  Chen Yonghong (Powder Metallurgy Research Institute, State Key Laboratory of Powder Metallurgy, Central South University, Changsha, Hunan 410083, China) ,  Luo Hang (Powder Metallurgy Research Institute, State Key Laboratory of Powder Metallurgy, Central South University, Changsha, Hunan 410083, China) ,  Yuan Xi (College of Chemistry and Chemical Engineering, Central South University, Hunan 410083, China) ,  Bowen Chris R. (Department of Mechanical Engineering, University of Bath, Bath BA27AY, United Kingdom) ,  Zhang Dou (Powder Metallurgy Research Institute, State Key Laboratory of Powder Metallurgy, Central South University, Changsha, Hunan 410083, China)
資料名： Applied Physics Reviews  (Applied Physics Reviews)
巻： 9  号： 1  ページ： 011307-011307-36  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3502A  ISSN： 1931-9401  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性メモリは,小型化,高速貯蔵,および低エネルギー消費の欲求により,大きなデータ,モノのインターネット,および人工知能の急速開発を満たすため,強い需要がある。ハフニア(HfO_2)系材料は,超薄厚さで相補的金属-オキシド-半導体(CMOS)適合性,大きな抗電圧,および優れた強誘電性の利点により大きな興味を引いている。従来のペロブスカイト材料に匹敵する強誘電性とHfO_2のサイズ利点は,魅力的な貯蔵性能をもたらし,これは統合非揮発性メモリの分野に容易に適用できる。このレビューは,強誘電性の起源,性能変調,および材料における最近の成果に注意して,HfO_2ベースの強誘電体における最近の発展の包括的な概観を提供する。さらに,材料に関連した既存の課題に対する潜在的な解決策を,伴流効果,長期疲労挙動,およびインプリント課題を含めて詳細に考察し,それは,HfO_2ベースの強誘電体材料および長い耐用年数と高い安定性を有するデバイスを得るための道を開いた。最後に,これらの魅力的な新しい材料に対する潜在的な応用の範囲を示し,非揮発性メモリと神経形態システムを含む。このレビューは最先端のHfO_2系強誘電体を提示し,現在の課題,可能な応用,および将来の機会を強調し,これらの興味深い材料における最近の発展のための更新として動作し,HfO_2ベースの強誘電体材料とデバイスの設計および最適化における将来の研究のための指針を提供する。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 伴流 ,  *強誘電体 ,  最適化 ,  電圧 ,  半導体 ,  貯蔵 ,  酸化物 ,  強誘電性 ,  小型化 ,  適応性 ,  人工知能 ,  不揮発性メモリ ,  材料設計 ,  CMOS
準シソーラス用語： 低エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強誘電体 ,  強化 ,  材料設計 ,  応用