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J-GLOBAL ID：202202280369720572   整理番号：22A0798072

水分解からの水素発生のための歪下の乾燥および水和欠陥二硫化モリブデン/グラフェン二層ヘテロ接合:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Dry and hydrated defective molybdenum Disulfide/Graphene bilayer heterojunction under strain for hydrogen evolution from water Splitting: A First-principle study

著者 (4件)： Dimakis Nicholas (Department of Physics and Astronomy, University of Texas Rio Grande Valley, Edinburg 78539, USA) ,  Gupta Sanju (Department of Materials Science and Engineering, Pennsylvania State University, University Park 16802, USA) ,  Wadud Razeen (Department of Physics and Astronomy, University of Texas Rio Grande Valley, Edinburg 78539, USA) ,  Bhatti Muhammad I. (Department of Physics and Astronomy, University of Texas Rio Grande Valley, Edinburg 78539, USA)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 205  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素発生反応(HER)のための費用対効果が高く,非常に安定で,効率的で,非常に活性な電極触媒を利用する探索において,モリブデンジスルフィド-グラフェンヘテロ構造(MoS_2/グラフェン)は貴金属とは対照的に有望である。MoS_2とグラフェン層の構造欠陥,ならびにMoS_2層の水和から,圧縮歪下のMoS_2/グラフェンの電子構造の変化を調べるために密度汎関数理論(DFT)を用いた。元のMoS_2/グラフェンヘテロ構造では,小さなバンドギャップ(ミニギャップ)がグラフェンDirac点で開放され,それは乾燥および水和構造に対してFermiエネルギー上に位置した。MoS_2/グラフェン中の硫黄と炭素空孔の存在はDirac点を上方シフトさせ,ミニギャップを広げた。しかし,付加的硫黄空孔は,MoS_2伝導バンド底部の位置およびDirac点における欠陥バンドの存在に依存して,ミニギャップをさらに広げ,収縮した。MoS_2/グラフェンヘテロ構造におけるミニギャップ同調性は,効率的なHER電極触媒およびそれを超えるために設計できた。分子の量子理論(QTAIM)は,非共有相互作用(NCI)解析と一致するvan der Waals力相互作用に対応するSC結合臨界点を明らかにした。SC結合臨界点におけるミニギャップと電子密度の間に相関を導いた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  空格子点 ,  相互作用 ,  バンド構造 ,  電子構造 ,  電子密度 ,  貴金属 ,  炭素 ,  *水和 ,  素子構造 ,  電極触媒 ,  硫黄 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  *グラフェン
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  Dirac点 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の接合  (BM03088W)

タイトルに関連する用語 (11件)： 水分解 ,  水素発生 ,  歪 ,  水和 ,  欠陥 ,  硫化モリブデン ,  グラフェン ,  二層 ,  ヘテロ接合 ,  第一原理 ,  研究