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J-GLOBAL ID：202202280572454627   整理番号：22A1148375

VHDL-AMSを用いた高速・高精度SiC MOSFETモデルの開発

Development of high speed and high accuracy SiC MOSFET model using VHDL-AMS

著者 (8件)： 黒田尚孝 (ローム) ,  黒田尚孝 (名古屋大) ,  中村洋平 (ローム) ,  山口敦司 (ローム) ,  山口敦司 (名古屋大) ,  梅上大勝 (ローム) ,  梅上大勝 (名古屋大) ,  中原健 (ローム)
資料名： 電気学会全国大会講演論文集(CD-ROM)  (Annual Meeting Record, I.E.E. Japan (CD-ROM))
巻： 2022  ページ： ROMBUNNO.4-014  発行年： 2022年03月01日 
JST資料番号： S0653B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・車載インバータ用のSiC MOSFETのシミュレーションモデルをVHDL-AMS言語で記述し,大規模回路の計算で考慮すべき計算速度と,計算精度の両立を試行。
・そのためスイッチング(SW)過渡波形の再現に重要な部分は詳細にモデル化し,その他の部分は簡略化したモデルを提案し,提案モデルを用いてシステムシミュレータ上でSW過渡解析を実行。
・回路シミュレーションで一般的に使用されるSPICモデルに対して高速・高精度化を実現できたことを報告。

シソーラス用語： *VHDL ,  *MOSFET ,  *トランジスタモデル ,  シミュレーションモデル ,  仕様記述言語 ,  計算機処理速度 ,  精度 ,  過渡解析 ,  回路シミュレーション ,  SPICEプログラム
準シソーラス用語： *SiC MOSFET ,  *VHDL-AMS ,  スイッチング過渡解析 ,  計算精度 ,  計算速度 ,  高精度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (8件)：

• 自動車システムのモデルベース開発入門 自動車技術会編著.
• E. Christen et al.: IEEE Trans. Circuits Syst.-II, 46(10), 1263(1999).
• A. Kashyap et al.:IEEE workshop on COMPEL, 50 (2004).
• Y. Mukunoki et al.:IEEE Trans. Electron Devices, 63(11), 4339 (2016).
• H. Sakairi et al.:IEEE Trans. Power Electron., 33(9), 7314 (2018).

タイトルに関連する用語 (5件)： VHDL-AMS ,  SiC ,  MOSFET ,  モデル ,  開発