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J-GLOBAL ID：202202280694737314   整理番号：22A0985036

SILAR合成ZnO薄膜【JST・京大機械翻訳】

SILAR Synthesized ZnO Thin Films

著者 (5件)： Pawar Jayesh R. (Toshniwal Arts, Commerce and Science College, Thin Films and Sensor Laboratory, Department of Physics Hingoli India Sengaon) ,  Dudhamal Munjaji E. (Toshniwal Arts, Commerce and Science College, Thin Films and Sensor Laboratory, Department of Physics Hingoli India Sengaon) ,  Chaudhari Vijendra A. (Dayanand Science College, Latur India) ,  Bogle Kashinath A. (Swami Ramanand Teerth Marathwada University, School of Physical Sciences Nanded India) ,  Joshi Rajesh Arun (Toshniwal Arts, Commerce and Science College, Thin Films and Sensor Laboratory, Department of Physics Hingoli India Sengaon)
資料名： Advanced Materials Research  (Advanced Materials Research)
巻： 1169  ページ： 87-91  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3701A  ISSN： 1022-6680  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化亜鉛(ZnO)薄膜を,室温でのガラス基板上の改質連続イオン層吸着と反応技術(SILAR)を用いて合成した。X線回折(XRD),エネルギー分散X線吸収スペクトル分析(EDAX),原子間力顕微鏡(AFM)およびUv-vis吸収分光法を用いて,これらの堆積薄膜を構造,組成,表面形態および光学的キャラクタリゼーションに対して特性化した。XRDパターンから;低強度ピークは,膜が粗い微細粒および/または非晶質から成ることを示した。2θ=31.71,36.27および56.29で観察された回折ピークは,六方晶相を有する(100),(101)および(110)面に起因し,一方,EDAXはZnおよびOに対して元素痕跡を示した。AFMから観測された表面形態は,基板表面に均一に分布した粒状形状に対応する。Copyright 2022 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  回折 ,  基板 ,  吸着 ,  *薄膜 ,  表面構造 ,  *亜鉛 ,  酸化亜鉛 ,  非晶質 ,  電気装置部品 ,  吸光分光分析 ,  キャラクタリゼーション ,  室温 ,  X線吸収スペクトル ,  原子間力顕微鏡 ,  モルフォロジー
準シソーラス用語： 表面形態 ,  ガラス基板 ,  六方晶相 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 六角形 ,  SILAR ,  薄膜 ,  ZnO

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (1件)： ZnO薄膜