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J-GLOBAL ID：202202280780035436   整理番号：22A0882700

テラヘルツ光電子デバイス用途に向けた二次元材料

Two-dimensional materials toward Terahertz optoelectronic device applications

著者 (10件)： Shi Zhe (School of Physics & New Energy, Xuzhou University of Technology, Xuzhou, Jiangsu, 221018, PR China) ,  Zhang He (Institute of Atomic and Molecular Physics, Jilin Provincial Key Laboratory of Applied Atomic and Molecular Spectroscopy (Jilin University), Jilin University, Changchun, 130012, PR China) ,  Khan Karim (School of Electrical Engineering & Intelligentization, Dongguan University of Technology, Dongguan (DGUT), Dongguan, 523808, PR China) ,  Cao Rui (Institute of Microscale Optoelectronics, Collaborative Innovation Centre for Optoelectronic Science & Technology, Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen Key Laborator...) ,  Zhang Ye (School of Chemistry and Chemical Engineering, University of South China, Hengyang, Hunan, 421001, PR China) ,  Ma Chunyang (Institute of Microscale Optoelectronics, Collaborative Innovation Centre for Optoelectronic Science & Technology, Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen Key Laborator...) ,  Tareen Ayesha Khan (Institute of Microscale Optoelectronics, Collaborative Innovation Centre for Optoelectronic Science & Technology, Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen Key Laborator...) ,  Jiang Yuanfei (Institute of Atomic and Molecular Physics, Jilin Provincial Key Laboratory of Applied Atomic and Molecular Spectroscopy (Jilin University), Jilin University, Changchun, 130012, PR China) ,  Jin Mingxing (Institute of Atomic and Molecular Physics, Jilin Provincial Key Laboratory of Applied Atomic and Molecular Spectroscopy (Jilin University), Jilin University, Changchun, 130012, PR China) ,  Zhang Han (Institute of Microscale Optoelectronics, Collaborative Innovation Centre for Optoelectronic Science & Technology, Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen Key Laborator...)
資料名： Journal of Photochemistry and Photobiology. C. Photochemistry Reviews  (Journal of Photochemistry and Photobiology. C. Photochemistry Reviews)
巻： 51  ページ： Null  発行年： 2022年06月 
JST資料番号： W1244A  ISSN： 1389-5567  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)材料は,高いキャリア移動度,調整可能なバンドギャップ,超広帯域光吸収および応答などの魅力的な特性により,世界的に注目の話題となっている。2D材料が持つ汎用性は,高性能テラヘルツ(THz)光電子デバイスを実現する大きな可能性を秘めている。しかし,THzギャップとして知られている赤外線からマイクロ波までの範囲のTHz放射は,他の電磁波のそれと比べてはるかに調査されていない。この知識の欠如に動機づけられて,著者らは2D材料に基づくTHz光電子デバイスに関する研究の最近の進歩のレビューを行った。まず,このレビューの背景と動機を紹介した。次に,適切な2D材料候補を提示し,続いてTHz発生デバイス,変調器,THz遮蔽,および光検出器におけるそれらの用途の包括的なレビューを行う。最後に,課題と今後の開発の方向性を結論づける。著者らは,2D材料に基づくTHz光電子デバイスのマイルストーン研究がまもなく現れ,2D材料に基づくナノデバイスの商業化において大いなる産業的啓示をもたらすであろうと信じている。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 材料 ,  *固体素子 ,  電磁波放射 ,  光吸収 ,  グラフェン ,  カルコゲン化物 ,  遷移金属化合物 ,  黒リン ,  信号変調 ,  光検出 ,  *テラヘルツ波 ,  層状化合物 ,  変調器 ,  光検出器 ,  分光分析 ,  電磁遮蔽 ,  トポロジカル絶縁体 ,  ペロブスカイト型結晶
準シソーラス用語： MXene ,  テラヘルツ光 ,  *テラヘルツ光電子デバイス ,  テラヘルツ波放射 ,  テラヘルツ分光 ,  二次元材料 ,  位相変調器 ,  光電子デバイス ,  遷移金属ジカルコゲン化物 ,  変調【信号】

著者キーワード (3件)： 2D材料 ,  THz ,  オプトエレクトロニクスデバイス

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： テラヘルツ光 ,  電子デバイス ,  用途 ,  二次元材料