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J-GLOBAL ID：202202281100159589   整理番号：22A0956614

シャドウマスクによる直接蒸発による黒リンデバイスのリソグラフィーフリーで高効率な調製【JST・京大機械翻訳】

Lithography-free and high-efficiency preparation of black phosphorous devices by direct evaporation through shadow mask

著者 (12件)： Ni Junhao (Engineering Research Center of IoT Technology Applications (Ministry of Education) Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, People’s Republic of China) ,  Mi Huiru (Institute of Flexible Electronics, Northwestern Polytechnical University, Xi’an, 710072, People’s Republic of China) ,  Tan Pu (Engineering Research Center of IoT Technology Applications (Ministry of Education) Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, People’s Republic of China) ,  An Xuhong (Department of Physics and Key Laboratory of MEMS of the Ministry of Education, Southeast University, Nanjing 211189, People’s Republic of China) ,  Gao Lei (Department of Physics and Key Laboratory of MEMS of the Ministry of Education, Southeast University, Nanjing 211189, People’s Republic of China) ,  Luo Xiaoguang (Institute of Flexible Electronics, Northwestern Polytechnical University, Xi’an, 710072, People’s Republic of China) ,  Cai Zhengyang (Engineering Research Center of IoT Technology Applications (Ministry of Education) Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, People’s Republic of China) ,  Ni Zhenhua (Department of Physics and Key Laboratory of MEMS of the Ministry of Education, Southeast University, Nanjing 211189, People’s Republic of China) ,  Gu Xiaofeng (Engineering Research Center of IoT Technology Applications (Ministry of Education) Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, People’s Republic of China) ,  Xiao Shaoqing (Engineering Research Center of IoT Technology Applications (Ministry of Education) Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, People’s Republic of China) ,  Nan Haiyan (Engineering Research Center of IoT Technology Applications (Ministry of Education) Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, People’s Republic of China) ,  Ostrikov Kostya (Ken) (School of Chemistry and Physics and QUT Centre for Materials Science, Queensland University of Technology (QUT), Brisbane QLD 4000, Australia)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 33  号： 22  ページ： 225201 (9pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ブラックリン(BP)を含む2次元(2D)材料は,ナノエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクスにおける,それらのエキゾチックな物理的性質および潜在的な応用のため,広く研究されている。BPに基づくデバイスは,BPが外部環境,特にリソグラフィープロセス中の化学的汚染に非常に敏感であるため,挑戦的である。シャドウマスク技術による直接蒸発は,2D材料のリソグラフィーフリー電極パターニングのためのクリーンな方法である。ここでは,BPベース電界効果トランジスタと光検出器の構築のためにリソグラフィーフリー蒸発法を採用し,従来のリソグラフィーと転送電極法によって作製したBP対応物との性能を系統的に比較した。その結果,直接蒸発法で製作したBPデバイスは,後者2つの方法で調製したものより,より高い移動度,速い応答時間,およびより小さなヒステリシスを有することがわかった。これは,BPと蒸着電極間の清浄な界面,ならびに,温度依存電気的結果によって与えられる20.2meVの低いSchottky障壁の高さに起因した。さらに,BP光検出器は広いスペクトル応答と偏光感度を示した。本研究は,オプトエレクトロニクス応用のためのBPデバイスを作製する汎用,低コスト,高効率法を明らかにする。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Schottky障壁 ,  移動度 ,  界面 ,  *蒸発 ,  光検出器 ,  偏光 ,  FET【トランジスタ】 ,  温度依存性 ,  *シャドウマスク ,  オプトエレクトロニクス ,  二次元 ,  *リソグラフィー ,  蒸着 ,  パターン形成
準シソーラス用語： ナノエレクトロニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： シャドウマスク ,  蒸発 ,  黒リン ,  リソグラフィー ,  高効率 ,  調製