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J-GLOBAL ID：202202281141134564   整理番号：22A0648794

ピエゾ-フォトトロニクス効果による織物上の柔軟なInGaN/GaN多重量子井戸の増強光ルミネセンス【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Photoluminescence of Flexible InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on Fabric by Piezo-Phototronic Effect

著者 (21件)： Sha Wei (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Key Laboratory of Micro-Nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Sha Wei (School of Nanoscience and Technology, University of Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Hua Qilin (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Key Laboratory of Micro-Nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Hua Qilin (School of Nanoscience and Technology, University of Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Wang Jiangwen (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Key Laboratory of Micro-Nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Wang Jiangwen (School of Nanoscience and Technology, University of Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Cong Zifeng (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Key Laboratory of Micro-Nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Cong Zifeng (School of Nanoscience and Technology, University of Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Cui Xiao (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Key Laboratory of Micro-Nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Cui Xiao (School of Nanoscience and Technology, University of Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Ji Keyu (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Key Laboratory of Micro-Nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Ji Keyu (Center on Nanoenergy Research, School of Physical Science and Technology, Guangxi University, Guangxi, P. R. China) ,  Dai Xinhuan (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Key Laboratory of Micro-Nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Dai Xinhuan (School of Nanoscience and Technology, University of Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Wang Bingjun (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Key Laboratory of Micro-Nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Wang Bingjun (Center on Nanoenergy Research, School of Physical Science and Technology, Guangxi University, Guangxi, P. R. China) ,  Guo Wenbin (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Key Laboratory of Micro-Nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Guo Wenbin (School of Nanoscience and Technology, University of Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Hu Weiguo (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Key Laboratory of Micro-Nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Hu Weiguo (School of Nanoscience and Technology, University of Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Hu Weiguo (Center on Nanoenergy Research, School of Physical Science and Technology, Guangxi University, Guangxi, P. R. China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 14  号： 2  ページ： 3000-3007  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ファブリックベースのウェアラブルエレクトロニクスは,ウェアラブルデバイス,インターネットのインターネット,および人工知能における新たな応用において利点を示している。有機材料と比較して,無機半導体(例えば,GaN)に基づくデバイスは,通常,優れた特性と高い安定性の利点を示す。フレキシブル/ファブリック基板上への硬質基板からのGaN系不均一膜の移動により,歪の変化はデバイス性能に影響するであろう。ここでは,InGaN/GaN多重量子井戸(MQW)膜のフレキシブル/ファブリック基板上への移動を,効果的なリフトオフ技術で示した。InGaN/GaN MQW膜の物理特性は原子間力顕微鏡と高分解能X線回折により特性化され,転写膜は大きな損傷を受けないことを示す。織物上に転写された膜において優れたフレキシブル特性が観察され,光ルミネセンス(PL)強度は圧電-フォトトロニクス効果によって増強され,それは膜曲率を6.25mm-1に増大して外部歪を適用することにより約10%の増加を示した。さらに,異なる歪でのGaN/InGaN/GaNヘテロ接合のエネルギーバンド図を,ピエゾ-フォトトロニクス効果による内部変調機構を明らかにするために説明した。本研究は,織物上に高性能デバイスを構築する指針を容易にし,また,柔軟でウェアラブルエレクトロニクスの急速な発展を推進した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  *光ルミネセンス ,  *窒化物 ,  圧電気 ,  人工知能 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  電子技術 ,  *窒化ガリウム ,  転写 ,  原子間力顕微鏡 ,  *多重量子井戸 ,  インターネット
準シソーラス用語： リフトオフ ,  ウェアラブルデバイス ,  *InGaN ,  ウェアラブル ,  高分解能X線回折 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： フレキシブル ,  InGaN/GaN ,  多重量子井戸 ,  光ルミネセンス ,  織物 ,  ピエゾフォトトロニクス

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 織物 ,  InGaN ,  GaN ,  多重量子井戸 ,  増強 ,  光ルミネセンス