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J-GLOBAL ID：202202281158468824   整理番号：22A1081108

新しい二次元半導体材料TlPt_2S_3の電子および光学特性:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Electronic and optical properties of a novel two-dimensional semiconductor material TlPt₂S₃: a first-principles study

著者 (10件)： Yang Xin (School of Physics, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, P. R. China. [e-mail]) ,  Shen Yanqing ,  Liu Jiajia ,  Meng Xianghui ,  Gao Xu ,  Lv Lingling ,  Zhou Min ,  Zhang Yu ,  Zheng Yangdong ,  Zhou Zhongxiang
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 24  号： 13  ページ： 7642-7652  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)材料は,それらの独特の物理的および化学的性質のため,広く注目されている。ここでは,密度汎関数理論計算を用いて,層状バルク対応物を1973年に合成した新しい2D TlPt_2S_3材料を提案した。理論計算結果は,単層と二層TlPt_2S_3の剥離エネルギーが34.96meVÅ-2と36.03meVÅ-2であることを示した。単層および二層TlPt_2S_3の電子および光学特性を系統的に研究し,それらがそれぞれ2.26eVおよび2.10eVのバンドギャップを有する間接バンドギャップ半導体であることを明らかにした。単層と二層TlPt_2S_3は,優れたキャリア移動度(単層と二重層の電子移動度に対してそれぞれ901.63cm2V-1s-1と13635.04cm2V-1s-1)と光触媒性能(可視光領域で1×105光吸収係数の高さ)を示した。興味深いことに,単層TlPt_2S_3は顕著な水素発生性能を持ち,一方,二分子層では,電子バンド分布は完全な酸素発生能力を示し,提案した単分子層と二層TlPt_2S_3が可視光により駆動される光触媒水分解に適した新しい2D材料であることを示した。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  *光学的性質 ,  *半導体 ,  エネルギー ,  単分子層 ,  二分子層 ,  分解反応 ,  可視光 ,  *二次元 ,  光触媒 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 可視領域 ,  電子移動度 ,  水分解 ,  理論計算 ,  間接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 半導体材料 ,  電子 ,  光学特性 ,  第一原理 ,  研究