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J-GLOBAL ID：202202281180609148   整理番号：22A0986036

[数式:原文を参照]薄膜における混合状態Hallスケーリング挙動と渦相図【JST・京大機械翻訳】

Mixed-state Hall scaling behavior and vortex phase diagram in [Formula : see text] thin films

著者 (12件)： Shin Dongwon (Center for Quantum Materials and Superconductivity (CQMS), Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Shin Dongwon (Department of Physics, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Jung Soon-Gil (Center for Quantum Materials and Superconductivity (CQMS), Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Jung Soon-Gil (Department of Physics, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Seo Sehun (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), Gwangju 61005, Republic of Korea) ,  Lee Jongmin (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), Gwangju 61005, Republic of Korea) ,  Lee Sanghan (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), Gwangju 61005, Republic of Korea) ,  Kim Jin Hee (Department of Applied Physics and Institute of Natural Sciences, Kyung Hee University, Yongin 17104, Republic of Korea) ,  Rhyee Jong-Soo (Department of Applied Physics and Institute of Natural Sciences, Kyung Hee University, Yongin 17104, Republic of Korea) ,  Choi Woo Seok (Department of Physics, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Park Tuson (Center for Quantum Materials and Superconductivity (CQMS), Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Park Tuson (Department of Physics, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 105  号： 6  ページ： 064519  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： [数式:原文を参照](FST)薄膜に対する混合状態と渦相図におけるHall抵抗率([数式:原文を参照])と縦抵抗([数式:原文を参照])の間のスケーリング挙動を調べた。[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]を温度と磁場の関数として同時に測定し,[数式:原文を参照]をべき乗則関係[数式:原文を参照]を用いて表現した。興味深いことに,FST薄膜は,[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]の異なる指数値を有するべき乗則関係において2勾配挙動を示す。固定磁場での温度掃引(T掃引)では,[数式:原文を参照]は磁場に鈍感であるが,固定温度での磁場掃引(H掃引)では,温度は温度の増加と共に1.93から3.82へ著しく増加する。一方,[数式:原文を参照]値の変化は両事例で比較的小さかった。2つの[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]値は2つの渦液体領域をもたらし,これは[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]領域内の異なるピン止め強度に起因した。さらに,磁場に関するHall角[数式:原文を参照]の正接は臨界磁場[数式:原文を参照]で交差挙動を示し,これは[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]の境界に対応する磁場と一致する。これらの結果は,種々のβ値がFST薄膜で可能であり,磁束ピン止め特性に密接に関連していることを示唆する。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *混合状態 ,  磁場 ,  *状態図 ,  *薄膜 ,  臨界磁場 ,  β値 ,  磁束ピン止め ,  ピン止め ,  *スケーリング【計数】
準シソーラス用語： べき乗則 ,  Hall抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 超伝導体の物性一般  (BM04021A)

タイトルに関連する用語 (8件)： 数式 ,  参照 ,  薄膜 ,  混合状態 ,  スケーリング ,  挙動 ,  渦 ,  相図