光センサ応用のための各種の温度でアニールしたMnドープおよびMn-Al共ドープZnO薄膜の光学的および電気的性質

YEN Ming-Yu; CHEN Tao-Hsing; LAI Po-Hsun; TU Sheng-Lung; SHEN Yun-Hwei; HUANG Chun-Chieh

文献

J-GLOBAL ID：202202281242750920 整理番号：22A0469639

光センサ応用のための各種の温度でアニールしたMnドープおよびMn-Al共ドープZnO薄膜の光学的および電気的性質

Optical and Electrical Properties of Mn-doped and Mn-Al co-doped ZnO Thin Films Annealed at Different Temperatures for Photosensor Applications

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資料名：
巻： 34 号： 1 (2) ページ： 175-185 発行年： 2022年
JST資料番号： L0338A ISSN： 0914-4935 CODEN： SENMER 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

MnドープおよびMn-Al共ドープ酸化亜鉛(ZnO)薄膜を,室温でRFマグネトロンスパッタリングによりガラス基板上に堆積させた。X線回折の結果は,両方の膜が単相から成り,c軸配向を有するウルツ鉱型構造を有することを示した。薄膜の電気的性質,透過率特性,表面特性,および結晶構造を,200~500°Cの温度範囲でのアニール後に調べた。結果は,堆積したままのMn:ZnO薄膜が83%の平均透過率を有することを示した。透過率は500°Cでのアニール後に85%に増加した。蒸着したままのMn-Al共ドープZnO薄膜は40%の低い透過率を有していた。しかし,500°Cでのアニール後,透過率は83%に増加した。アニールしたMn-Al:ZnO薄膜は,1.75×10^-3Ωcmの低い電気抵抗率,20.8cm²V^-1s^-1の電子移動度,および5.3×10²⁰cm^-3のキャリア濃度を示した。走査電子顕微鏡(SEM)の結果は,両方の薄膜の結晶サイズがアニーリングに従って増加することを示した。それらの良好な光学的および電気的性質のために,アニールしたMn-Al:ZnO薄膜を光センサ材料として用いることができる。(翻訳著者抄録)

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光学一般 , 計測機器一般

引用文献 (38件)：

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