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J-GLOBAL ID:202202281350250024   整理番号:22A1101845

不均一集積化のための高密度ハイブリッド基板【JST・京大機械翻訳】

High-Density Hybrid Substrate for Heterogeneous Integration
著者 (15件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 469-478  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0590B  ISSN: 2156-3950  CODEN: ITCPC8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,不均一集積のための高密度有機ハイブリッド基板を研究した。3つのチップを支持するハイブリッド基板の設計,材料,プロセス,製作,キャラクタリゼーション,および信頼性に重点を置いた。ハイブリッド基板は,微細な金属線幅と間隔再分布層(RDL)基板,相互接続層基板,高密度相互接続(HDI)基板から成る。ハイブリッド基板上の3つのチップの不均一統合を,リフロー試験およびドロップテストによって評価された連続性試験および信頼性によって特徴づけた。非線形有限要素解析を行い,熱サイクリング条件下の相互接続層基板と臨界はんだ継手の導電性ペースト充填ビアにおける応力と歪の状態を示した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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プリント回路  ,  固体デバイス製造技術一般 
タイトルに関連する用語 (3件):
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