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J-GLOBAL ID：202202281351053165   整理番号：22A1149870

カーボン材料への低温プラズマ利用に関する最新研究事情と今後の展望 4.プラズマCVD合成グラフェンナノリボンのデバイス応用

4. Device Applications of Graphene Nanoribbon Grown by Plasma CVD

著者 (2件)： 加藤俊顕 (東北大 大学院工学研究科) ,  金子俊郎 (東北大 大学院工学研究科)
資料名： プラズマ・核融合学会誌  (Journal of Plasma and Fusion Research)
巻： 98  号： 4  ページ： 165-170  発行年： 2022年04月25日 
JST資料番号： G0114A  ISSN： 0918-7928  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 炭素原子1個分の厚みからなる究極の2次元材料であるグラフェンは,様々な優れた基礎物性を持つことが既に明らかとされ,次世代電子材料として大きな注目を集めている.一方でグラフェンにはバンドギャップが存在しないため,半導体応用に向けた研究が停滞しているのが現状である.これに対し,グラフェンがナノメートル幅の1次元短冊状構造をとることで,バンドギャップが発現することが近年発見され,半導体グラフェンとして世界中で研究競争が活発化している.グラフェンナノリボン(GNR)と呼ばれるこの新材料は,グラフェンの光透過性や機械的柔軟性と,半導体材料としての基礎特性を合わせ持つことから,将来の次世代超高性能フレキシブル光電子デバイス応用に向けその貢献が大きく期待されている.これまで著者等はこのGNRの新規合成法を開発し,大規模集積合成を実現している.本章では,この様なGNR集積化合成結果と共に,これらを活用した不揮発性メモリ,熱電デバイス,及び量子デバイスへの応用展開に関する最新の研究成果の一部を紹介する.(著者抄録)

シソーラス用語： 炭素材 ,  プラズマ ,  *ナノ構造 ,  *リボン結晶 ,  *プラズマCVD ,  製造 ,  *電気材料 ,  バンドギャップ ,  *集積 ,  *熱電素子 ,  *不揮発性メモリ ,  電子装置 ,  光伝導 ,  リソグラフィー ,  走査電子顕微鏡 ,  架橋【高分子】 ,  *残留光伝導 ,  原子間力顕微鏡 ,  X線光電子分光法 ,  プラズマ曝露 ,  ニッケル ,  量子ドット
準シソーラス用語： AFM【顕微鏡】 ,  SEM【顕微鏡】 ,  XPS ,  カーボン材料 ,  *グラフェンナノリボン ,  *二次元材料 ,  *集積化 ,  低温プラズマ ,  *電子材料 ,  *熱電デバイス ,  半導体デバイス製造 ,  量子デバイス

分類 (3件)： プラズマ応用  (BJ02110K) ,  特殊加工  (QC04000Y) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (21件)：

• K.S. Novoselov et al., Science 306, 666 (2004).
• K. Nakada et al., Phys. Rev. B 54, 17954 (1996).
• M.Y. Han et al., Phys. Rev. Lett. 98, 206805 (2007).
• X.L. Li et al., Science 319, 1229 (2008).
• L.Y. Jiao et al., Nature 458, 877 (2009).

タイトルに関連する用語 (7件)： カーボン材料 ,  低温プラズマ ,  研究 ,  展望 ,  プラズマCVD ,  グラフェンナノリボン ,  応用