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J-GLOBAL ID：202202281382858729   整理番号：22A0494422

CeO_2(100)ナノキューブにおける酸素空孔分布と電子局在化【JST・京大機械翻訳】

Oxygen vacancy distributions and electron localization in a CeO₂(100) nanocube

著者 (9件)： Ji Weihua (Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering, Institute of Solid State Chemistry, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Wang Na ,  Li Qiang ,  Zhu He ,  Lin Kun ,  Deng Jinxia ,  Chen Jun ,  Zhang Hongjie ,  Xing Xianran
資料名： Inorganic Chemistry Frontiers  (Inorganic Chemistry Frontiers)
巻： 9  号： 2  ページ： 275-283  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3486A  ISSN： 2052-1553  CODEN： ICFNAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,5nmのCeO_2ナノキューブにおける酸素空孔分布を,中性子全散乱原子対分布関数(PDF)データを用いた逆モンテカルロ(RMC)シミュレーションを通して決定し,DFT計算に基づく更なる精緻化を行った。結果は,酸素空孔がCeO_2ナノキューブの表面に向かって位置する傾向があり,酸素空孔の分配速度は,表面下領域およびナノ立方体内部で突然低下することを示した。表面下に2種類の空孔,表面O原子を持つO_vacsub1,およびそれより上の表面O原子のないO_vacsub2があり,それぞれの割合は61.9%および38.1%であった。DFT計算によると,酸素空孔形成を考慮した残りの2つの4f電子は,O_vacsurおよびO_vacsub2に関して1N位置に,あるいはO_vacsub1に関して2N位置において優先的に局在化した。さらに,CeO_2(100)の場合の2つの過剰電子は,逆モンテカルロ(RMC)シミュレーションから得られたより長い特性Ce3+-O結合長の高い割合に従って,表面または表面下Ce層に留まる傾向があると結論できた。タイプ1の表面下酸素空格子点,O_vacsub1は凝集する可能性が高く,蓄積した表面下空孔の特徴的な存在を明らかにした。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： モンテカルロ法 ,  散乱 ,  シミュレーション ,  中性子 ,  *セリウム ,  核間距離 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： 過剰電子 ,  対分布関数 ,  局在化 ,  *酸素空格子点 ,  酸素原子 ,  *ナノキューブ ,  ナノ立方体 ,  4f電子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： その他の触媒  (CB06123Z) ,  吸着の電子論  (CB12042Y) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノキューブ ,  酸素空孔 ,  分布 ,  電子 ,  局在化