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J-GLOBAL ID：202202281568193827   整理番号：22A0286261

効率的な第二高調波発生のための直接成長WS_2を有する窒化けい素導波路【JST・京大機械翻訳】

Silicon nitride waveguides with directly grown WS₂ for efficient second-harmonic generation

著者 (7件)： Liu Ning (College of Advanced Interdisciplinary Studies & Hunan Provincial Key Laboratory of Novel Nano-Optoelectronic Information Materials and Devices, National University of Defense Technology, Changsha 410073, P. R. China. [e-mail]) ,  Yang Xi ,  Zhu Zhihong ,  Chen Feng ,  Zhou Yangbo ,  Xu Jipeng ,  Liu Ken
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 14  号： 1  ページ： 49-54  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 統合電子回路におけるシリコン(Si)によって,異なる機能を直接実現できる。Siと窒化ケイ素(Si_3N_4)フォトニクスは,光発生,誘導光の透明性,および光検出のような異なる機能が,SiまたはSi_3N_4だけでは同時に達成できない。2次非線形性は,それらの中心対称特性のためを持たない他の光学的性質である。数種類の2D材料が最近出現し,それらの非線形性能の改善を目的とする特定のフォトニックデバイスに転送された。しかし,移動法は時間がかかり,大規模生産を達成することができず,必然的に材料損傷を引き起こし,界面に不純物を導入する。ここでは,Si_3N_4導波路上への物理蒸着法による大面積均一単層WS_2の直接成長を実証した。WS_2成長は主にSi_3N_4導波路に沿って制御でき,導波路は伸長WS_2被覆率で第二高調波発生の明らかな増強を示した。WS_2の直接成長はSi_3N_4集積フォトニクスを新しい非線形光学特性に付与する。2D材料を移動させる代替法として,ここで提示した方法は,オンチップ統合光製作と応用の基礎を築く大規模集積フォトニック製作と互換性がある。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  対称性 ,  不純物 ,  互換性 ,  ケイ素 ,  LSI【IC】 ,  電子回路 ,  二次元 ,  *窒化ケイ素 ,  光検出 ,  光学素子 ,  *導波路 ,  *第二高調波発生
準シソーラス用語： フォトニクス ,  フォトニックデバイス ,  オンチップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 二次電池  (YB04030K) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  その他の電気・電子部品  (NA05090R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 第二高調波発生 ,  成長 ,  窒化けい素 ,  導波路