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J-GLOBAL ID：202202281622881346   整理番号：22A0947894

グラフェン/BN/グラフェンvan de Waalsヘテロ構造のスピントロニクス相転移【JST・京大機械翻訳】

Spintronic phase transition of graphene/BN/graphene van de Waals heterostructures

著者 (6件)： Cao Quanyuan (Xinjiang Key Laboratory of Solid State Physics and Devices, Xinjiang University, Urumqi 830046, China) ,  Cao Quanyuan (Center for Theoretical Physics, School of Physical Science and Technology, Xinjiang University, Urumqi 830046, China) ,  Xu Lei (Xinjiang Key Laboratory of Solid State Physics and Devices, Xinjiang University, Urumqi 830046, China) ,  Xu Lei (Center for Theoretical Physics, School of Physical Science and Technology, Xinjiang University, Urumqi 830046, China) ,  Zhang Jun (Xinjiang Key Laboratory of Solid State Physics and Devices, Xinjiang University, Urumqi 830046, China) ,  Zhang Jun (Center for Theoretical Physics, School of Physical Science and Technology, Xinjiang University, Urumqi 830046, China)
資料名： Results in Physics  (Results in Physics)
巻： 35  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3368A  ISSN： 2211-3797  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平均場近似下の単一軌道強束縛(TB) Hubbardモデルに基づいて,ジグザググラフェン/窒化ホウ素/グラフェン(Z-G/BN/G)三層ナノリボン系のバンド構造と半金属性を研究した。異なるCoulomb反発力および局所電位の下で,系は金属,半金属および半導体相を示し,対応する相転移領域も異なる。3つの積層配列に対して,最上層上の大きな局所ポテンシャルはその半金属性を破壊できる。AAAとABA積層に対して,半金属性は上部または底層で発生し,一方,半金属性はABC積層の底層で生じた。これは,積層順序が半金属性を調整する新しい自由度であることを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *相転移 ,  バンド構造 ,  電位 ,  半導体 ,  *素子構造 ,  半金属 ,  窒化ホウ素 ,  斥力 ,  リボン結晶 ,  自由度 ,  平均場近似 ,  金属性 ,  底層 ,  ナノ構造 ,  *スピントロニクス ,  *グラフェン
準シソーラス用語： ナノリボン ,  *ヘテロ構造 ,  半金属性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： グラフェン/BN/グラフェンヘテロ構造 ,  バンド構造 ,  半金属性

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： グラフェン ,  BN ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  スピントロニクス ,  相転移