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J-GLOBAL ID：202202281790890180   整理番号：22A1051970

ZnO系ヘテロ接合における光応答とピロ-フォトトロニクス応答のナノワイヤ長依存性【JST・京大機械翻訳】

The nanowire length dependence of the photoresponse and Pyro-phototronic response in the ZnO-based heterojunctions

著者 (5件)： Qiao Shuang (Hebei Key Laboratory of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, PR China) ,  Sun Haijing (Hebei Key Laboratory of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, PR China) ,  Liu Jihong (Hebei Key Laboratory of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, PR China) ,  Fu Guangsheng (Hebei Key Laboratory of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, PR China) ,  Wang Shufang (Hebei Key Laboratory of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, PR China)
資料名： Nano Energy  (Nano Energy)
巻： 95  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3116A  ISSN： 2211-2855  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,2系列のZnO/SiとZnO/PEDOT:PSSヘテロ接合を,ZnOナノワイヤ長が200から1300nmの範囲で調製し,異なるナノワイヤ長に対する光応答とピロ-フォトトロニクス応答を,異なる出力密度とレーザ波長の照射下でよく調べた。光応答はナノワイヤ長に強く依存することが分かった。しかし,最適長さと性能は,それぞれ+1Vとゼロバイアス電圧の下で,67.6mA/Wと0.565mA/Wの応答性を有するZnO/Siヘテロ接合において400nmであり,+0.4Vとゼロバイアス電圧の下で107.9A/Wと0.199mA/Wに達する応答性を有するZnO/PEDOT:PSSヘテロ接合において200nmに変わるので,2つのヘテロ構造に関して全く異なった。。また,その性能は,それぞれ,2つのヘテロ構造に対して,非常に異なった。”その2つのヘテロ構造は,それぞれ,67.6mA/Wと0.565mA/Wの応答性で,その応答性は,それぞれ,+0.4Vとゼロのバイアス電圧の下で,それぞれ107.9A/Wと0.199mA/Wであった。さらに,ピロ-フォトトロニクス効果を導入すると,光応答は1589%ほど大きく増大した。一方,ZnOとヘテロ接合のバンドギャップをはるかに超えた360~1550nmの超広帯域応答範囲も2つのヘテロ構造で達成される。しかし,ZnO/SiおよびZnO/PEDOT:PSSヘテロ構造に対して,それぞれ450nmおよび360nmで観測される最適応答波長は,かなり変化した。2つのヘテロ構造におけるこれらの大きな差異は,それらの異なる光吸収,キャリアの輸送と分離,焦電電位,およびバンド整列特性に起因する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  電圧 ,  光吸収 ,  応答特性 ,  ケイ素 ,  波長 ,  *酸化亜鉛 ,  広帯域 ,  バンドギャップ ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： 出力密度 ,  *光応答 ,  ヘテロ構造 ,  バイアス電圧 ,  バンドアライメント ,  酸化亜鉛ナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ZnOナノワイヤ ,  ZnOヘテロ構造 ,  光応答 ,  熱-光トロニクス効果 ,  広帯域

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (6件)： ZnO ,  ヘテロ接合 ,  光応答 ,  応答 ,  ワイヤ長 ,  依存性