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J-GLOBAL ID：202202282047818495   整理番号：22A0104850

高効率c-Si太陽電池の直接メタライゼーションのための前面不動態化接触の局在化【JST・京大機械翻訳】

Localisation of front side passivating contacts for direct metallisation of high-efficiency c-Si solar cells

著者 (10件)： Meyer Frank (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Institute of Electrical and Microengineering (IEM), Photovoltaics and Thin Film Electronics Laboratory, Maladiere 71b, 2002, Neuchatel, Switzerland) ,  Ingenito Andrea (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Institute of Electrical and Microengineering (IEM), Photovoltaics and Thin Film Electronics Laboratory, Maladiere 71b, 2002, Neuchatel, Switzerland) ,  Ingenito Andrea (CSEM PV-Center, Jaquet-Droz 1, 2002, Neuchatel, Switzerland) ,  Diaz Leon Juan J. (CSEM PV-Center, Jaquet-Droz 1, 2002, Neuchatel, Switzerland) ,  Niquille Xavier (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Institute of Electrical and Microengineering (IEM), Photovoltaics and Thin Film Electronics Laboratory, Maladiere 71b, 2002, Neuchatel, Switzerland) ,  Allebe Christophe (CSEM PV-Center, Jaquet-Droz 1, 2002, Neuchatel, Switzerland) ,  Nicolay Sylvain (CSEM PV-Center, Jaquet-Droz 1, 2002, Neuchatel, Switzerland) ,  Haug Franz-Josef (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Institute of Electrical and Microengineering (IEM), Photovoltaics and Thin Film Electronics Laboratory, Maladiere 71b, 2002, Neuchatel, Switzerland) ,  Ballif Christophe (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Institute of Electrical and Microengineering (IEM), Photovoltaics and Thin Film Electronics Laboratory, Maladiere 71b, 2002, Neuchatel, Switzerland) ,  Ballif Christophe (CSEM PV-Center, Jaquet-Droz 1, 2002, Neuchatel, Switzerland)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 235  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,2つの側面接触c-Si太陽電池のための薄い界面酸化物/ドープポリシリコンに基づく不動態化接触の開発を提示した。第一部では,窒化けい素(SiN_x:H)上に印刷したAg-ペーストスクリーンの焼成を用いて,直接金属化に向けた層最適化を検討した。ポリシリコンの厚さを最適化することにより,開回路電圧(V_OC)が700mVまで,フィルファクタ(FF)が78%まで太陽電池を得た。しかし,このような結果は95nmの厚さの層を用いて得られ,短絡電流密度を強く制限した。この限界を克服するために,シャドウマスクを通しての堆積によるフロントサイド不動態化接触の局所化のためのアプローチを示した。最後に,第3部では,711mVのV_OC,79.7%の高いFF,および効率>22%のポテンシャルで,21.7%以上の有望な効率を有する高効率c-Si太陽電池を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  最適化 ,  *太陽電池 ,  酸化物 ,  *不動態化 ,  シャドウマスク ,  *メタライゼーション ,  窒化ケイ素 ,  ポリシリコン
準シソーラス用語： *高効率 ,  開回路電圧 ,  フィルファクタ ,  短絡電流密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 不動態化接触 ,  シリコン太陽電池 ,  水素化 ,  シャドウマスク ,  焼成

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高効率 ,  Si ,  太陽電池 ,  メタライゼーション ,  前面 ,  不動態化 ,  局在化