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J-GLOBAL ID：202202282093292574   整理番号：22A0081804

キトサン系メモリデバイス:フィラメント対界面抵抗スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Chitosan based memory devices: filamentary versus interfacial resistive switching

著者 (3件)： Kiran M Raveendra (Department of Physics, Shiv Nadar University, Gautam Buddha Nagar, Uttar Pradesh 201314, India) ,  Yadav Yogesh (Department of Physics, Shiv Nadar University, Gautam Buddha Nagar, Uttar Pradesh 201314, India) ,  Singh Samarendra P (Department of Physics, Shiv Nadar University, Gautam Buddha Nagar, Uttar Pradesh 201314, India)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 55  号： 5  ページ： 055302 (8pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バイオポリマーベースのメモリデバイスは,生物医学研究において多数の潜在的用途を有する。本論文では,ITO/CS/Cuのデバイス構造を用いて,CS厚さの関数として,キトサン(CS)ベースのメモリデバイスの調整可能なメモリ挙動を実証した。また,フィラメント状と界面抵抗スイッチングの間の明確な区別が目撃された。フィラメント抵抗スイッチング(CS厚さ80nm)および界面抵抗スイッチング(CS厚さ200nm)モードにおいて,それぞれ1870および1280の高いオン/オフ比が観察された。スイッチング機構も線形適合解析を用いて解析し,導電性フィラメントの形成と破断,および金属/CS界面での電荷蓄積に起因した。本研究は,書き込み-オン-パン-マニーと読取-書き込み(RWM)ランダムアクセスメモリデバイスを開発する可能性を開く。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  *記憶装置 ,  スイッチング ,  帯電 ,  生体高分子 ,  素子構造 ,  線形性 ,  フィラメント ,  *キトサン
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング ,  導電性フィラメント , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (5件)： キトサン ,  メモリデバイス ,  フィラメント ,  界面抵抗 ,  スイッチング