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J-GLOBAL ID:202202282162757931   整理番号:22A1169443

ガス絶縁開閉装置変電所における超高速過渡過電圧に起因する二次ケーブルへの干渉【JST・京大機械翻訳】

Interference to the Secondary Cable Caused by a Very Fast Transient Overvoltage in a Gas-Insulated Switchgear Substation
著者 (6件):
資料名:
巻: 2022  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: U7803A  ISSN: 1024-123X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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非常に速い過渡過電圧(VFTO)が高電圧バスで伝搬するとき,容量電圧変圧器(CVT)はその二次側にかなりの干渉を引き起こし,それは二次装置の正常動作に影響を及ぼす。本論文では,CVT等価計算回路モデルを確立し,二次ケーブルの外乱電圧を推定し,計算した。電磁過渡シミュレーションソフトウェアを用いて,500kVのガス絶縁スイッチギア(GIS)変電所におけるVFTOによって引き起こされた二次ケーブル外乱のシミュレーションモデルを確立し,二次ケーブルの端での外乱電圧をシミュレーションして,二次ケーブルの長さの影響と障害に及ぼすシールドの接地モードを研究した。また,複合抗干渉対策も提案し,螺旋管減衰母線,マルチストランド導体を用いたシールドの両端で接地し,フィルタコンデンサを設置し,その全ては,二次ケーブルの外乱電圧の振幅と高調波成分を大幅に削減する。Copyright 2022 Hanliang Lin et al. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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変電 
引用文献 (21件):
  • A Ametani, H Xue, M Natsui, J. Mahseredjian, "Electromagnetic disturbances in gas-insulated substations and VFT calculations," Electric Power Systems Research, vol. 160, pp. 191-198, 2018.
  • J James, M Albano, A Haddad, D. Guo, "Application of multiple modelling techniques for analysis of very fast transient overvoltages in GIS," Proceedings of the 2018 IEEE International Conference on High Voltage Engineering and Application (ICHVE), pp. 1-4, National Technical University of Athens, Greece, 2018.
  • H Zhan, S Duan, C Li, "A novel arc model for very fast transient overvoltage simulation in a 252-kV gas-insulated switchgear," IEEE Transactions on Plasma Science, vol. 42, no. 10, pp. 3423-3429, 2014.
  • Y Cai, Y Guan, W Liu, "Study of transient enclosure voltage coupling to secondary cables in a gas-insulated substation," IEEE Transactions on Power Delivery, vol. 33, no. 2, pp. 761-768, 2018.
  • N. K Challagondla, D. Thummapal, "The study of very fast transient over voltages (VFTO) for the Project of 400/220kV GIS substation with one and half circuit breaker configuration," Proceedings of the 2016 IEEE International Conference on High Voltage Engineering and Application (ICHVE), pp. 1-4, IEEE, Chengdu, China, 2016.
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