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J-GLOBAL ID：202202282181869561   整理番号：22A1083145

NiFe_2O_4/グラフェン界面における近接性増強磁性【JST・京大機械翻訳】

Proximity enhanced magnetism at NiFe₂O₄/Graphene interface

著者 (7件)： Schulz N. (University of South Florida, Tampa, Florida 33620, USA) ,  Chanda A. (University of South Florida, Tampa, Florida 33620, USA) ,  Datt G. (Department of Materials Science and Engineering, Uppsala University, Box 35, SE-751 03 Uppsala, Sweden) ,  Kamalakar M. Venkata (Department of Physics and Astronomy, Uppsala University, SE-751 20 Uppsala, Sweden) ,  Sarkar T. (Department of Materials Science and Engineering, Uppsala University, Box 35, SE-751 03 Uppsala, Sweden) ,  Phan M. H. (University of South Florida, Tampa, Florida 33620, USA) ,  Srikanth H. (University of South Florida, Tampa, Florida 33620, USA)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 12  号： 3  ページ： 035132-035132-7  発行年： 2022年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,NFO層の最上部に成長した単層グラフェン(MLG)の包含によるフェリ磁性(FM)絶縁体ニッケルフェライト(NFO)薄膜の有効磁気異方性の変化を調べた。これは,トンネルダイオード発振器技術を用いて,面内(IP)および面外(OOP)配置の両方に対して,裸のNFOおよびNFO/MLG二重層サンプルについて,高周波(RF)横方向感受率(TS)測定を行って行った。磁気測定は,裸のNFO膜に関してNFO/MLG二分子層の全体的飽和磁化の増強を示した。TS測定は,MLGの包含が,温度範囲40K≦T≦280Kで,2倍まで,IPとOOPの両方の配置に対して,有効磁気異方性を,劇的に低減することを明らかにした。NFOは磁性基板であるので,NFOは磁気近接効果を介してNFO/MLG界面でのMLGの磁気秩序を誘起する可能性がある。さらに,NFOは絶縁性であり,MLGは半金属であるため,界面で大きな伝導率差が存在し,電荷移動がもっともらしい。これらの2つの効果は界面磁性を変化させ,有効磁気異方性の変化をもたらす。これらの結果は,FM/MLGヘテロ構造の界面磁性を理解する重要性を強調する。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  *強磁性 ,  磁気異方性 ,  電荷移動 ,  フェリ磁性 ,  飽和磁化 ,  磁気 ,  近接効果 ,  半金属 ,  磁気秩序 ,  *磁性 ,  ニッケルフェライト ,  *グラフェン ,  絶縁体
準シソーラス用語： ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  磁性材料  (NA04040H) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  界面 ,  近接性 ,  強磁性