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J-GLOBAL ID：202202282191123294   整理番号：22A1101787

極端な放射線環境における埋込みシステムのための自己適応SEU緩和方式【JST・京大機械翻訳】

A Self-Adaptive SEU Mitigation Scheme for Embedded Systems in Extreme Radiation Environments

著者 (5件)： Lu Yufan (School of Computer Science and Electronic Engineering, University of Essex, U.K.) ,  Zhai Xiaojun (School of Computer Science and Electronic Engineering, University of Essex, U.K.) ,  Saha Sangeet (School of Computer Science and Electronic Engineering, University of Essex, U.K.) ,  Ehsan Shoaib (School of Computer Science and Electronic Engineering, University of Essex, U.K.) ,  McDonald-Maier Klaus D. (School of Computer Science and Electronic Engineering, University of Essex, U.K.)
資料名： IEEE Systems Journal  (IEEE Systems Journal)
巻： 16  号： 1  ページ： 1436-1447  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2238A  ISSN： 1932-8184  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子システムが放射環境で動作するとき,過渡誤差と永久誤差が発生する可能性がある。静的ランダムアクセスメモリ(SRAM)は,その高性能と高論理密度特徴のために,様々な半導体チップにおける最も重要な部品の一つである。しかし,それらの専用電子回路のため,SRAMは放射線効果に敏感である。本論文では,誤り訂正符号(ECC)とリフレッシュ技術を組み合わせた携帯方式を提案し,誤差を補正し,極端放射環境における誤差蓄積を緩和する。提案した方式は,他のモジュールに対して小さく透明であり,追加の待ち時間が導入されないので,ハードウェアモジュールを固定読取と書き込み待ち時間で設計したシステムに容易に適用できる。この設計を,中性子放射施設におけるハードウェア故障注入プラットフォームと放射実験でシミュレーションにより評価した。中性子粒子のフラックスが5Ω≦106cm2s{-1}である中性子実験で得られた結果は,Xilinx Artix-7 FPGA上の32kB自己リフレッシュECC RAMにおけるビットフリップの数はゼロであり,一方,非硬化RAMにおけるビットフリップの数は1.5時間で32に上昇したことを示した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 中性子 ,  放射線効果 ,  *放射線 ,  電子回路 ,  *適応 ,  *緩和現象 ,  ハードウェア ,  待ち時間 ,  電子装置 ,  SRAM ,  RAM【メモリ】 ,  FPGA ,  誤り訂正符号
準シソーラス用語： *自己適応 ,  故障注入 ,  *埋込みシステム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 無線通信一般  (ND08010L) ,  計算機網  (JC03000K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 放射線 ,  環境 ,  埋込みシステム ,  自己適応 ,  SEU ,  緩和