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J-GLOBAL ID：202202282218264750   整理番号：22A0440937

常圧CVDによる遷移金属ジカルコゲナイド(TMDC)の成長中の積層欠陥形成の徹底的なキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

In-depth characterization of stacking faults forming during the growth of Transition-Metal Di-Chalcogenides (TMDCs) by ambient pressure-CVD

著者 (5件)： Konar Rajashree (Bar-Ilan University, Department of Chemistry, Institute of Nanotechnology, Ramat Gan 52900, Israel) ,  Tamari Rimon (Department of Materials Engineering, Ben-Gurion University of the Negev, P.O. Box 653, Beer Sheva 84105, Israel) ,  Teblum Eti (Bar-Ilan University, Department of Chemistry, Institute of Nanotechnology, Ramat Gan 52900, Israel) ,  Nessim Gilbert Daniel (Bar-Ilan University, Department of Chemistry, Institute of Nanotechnology, Ramat Gan 52900, Israel) ,  Meshi Louisa (Department of Materials Engineering, Ben-Gurion University of the Negev, P.O. Box 653, Beer Sheva 84105, Israel)
資料名： Materials Characterization  (Materials Characterization)
巻： 184  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0448C  ISSN： 1044-5803  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ジカルコゲン化物(TMDC)は,半導体産業に重要なユニークな特性を有するvan der Waals(vdW)層状材料である。一般に,MX_2(M=金属およびX=カルコゲン原子,例えばS,SeまたはTe)型TMDCは,容易に剥離可能な層を含み,本質的に2D材料に転換する。積層欠陥(SF)のような平面構造欠陥は,原子配列を変化させ,さらに電子特性を改善し,これらの材料を種々の応用(光電子デバイス,スピントロニクス,ガスセンシング,触媒,エネルギー貯蔵,熱電気など)に役立ち,特定のSFsによるTMDC合成に関する以前の報告は,それらを得ることにおける挑戦を強調する。さらに,応用の成功のために,これらのSFは,実験条件下で安定かつ一貫性があるはずである。大気圧化学蒸着(APCVD)におけるW箔上の2H-WSe_2の容易な調製に関する著者らの以前の研究は,合成中に固有のセレン空孔形成を示した。本研究では,種々の2H構造:(タングステンジ-セレニド)WSe_2, (モリブデンジ-セレニド)MoSe_2と(タングステンジ-スルフィド)WS_2中でのこの合成時に形成されるSFsの詳細な特性化を示した。ポストアニーリング処理の関数としてこれらの欠陥の安定性も議論した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： セレン ,  硫化物 ,  セレン化物 ,  平面構造 ,  熱電流 ,  積層材料 ,  二次元 ,  エネルギー貯蔵 ,  キャラクタリゼーション ,  半導体工業 ,  *積層欠陥 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： 原子配列 ,  光電子デバイス ,  ポストアニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 遷移金属ジカルコゲナイド(TMDC) ,  常圧CVD ,  合成 ,  層 ,  欠陥 ,  積層欠陥

分類 (1件)： 変態組織,加工組織  (WB01030N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 常圧CVD ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  成長 ,  積層欠陥 ,  キャラクタリゼーション