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J-GLOBAL ID：202202282499040630   整理番号：22A1148367

ミラープラトー電圧に着目したパワーデバイスの状態監視回路

Condition monitoring circuit for MOSFET focusing on mirror plateau voltage

著者 (2件)： 赤崎勇生 (東京都大) ,  和田圭二 (東京都大)
資料名： 電気学会全国大会講演論文集(CD-ROM)  (Annual Meeting Record, I.E.E. Japan (CD-ROM))
巻： 2022  ページ： ROMBUNNO.4-005  発行年： 2022年03月01日 
JST資料番号： S0653B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・ターンオン時のゲート-ソース間電圧波形に対する遅延信号との差分による状態監視ミラープラトー信号ピーク値検出回路の設計。
・ミラープラトー電圧と遅延信号との差分を取る遅延部,遅延回路の出力ピークを検出するピークホールド部による検出回路の構築。
・Tspiceツールを用いたMOSFETゲート酸化膜劣化監視回路のシミュレーションによる提案の状態監視回路の有効性確認。

シソーラス用語： *MOSFET ,  電力トランジスタ ,  監視 ,  電圧変動 ,  ピーク値 ,  回路設計 ,  遅れ ,  回路シミュレーション ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 状態監視 ,  *膜劣化

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (5件)：

• S.Yang, A.Bryant, P.Mawby, D.Xiang, L.Ran and P.Tavner,“An Industry-Based Survey of Reliability in Power Electronic Converters,” IEEE Trans. Ind. Appl.47(3)(2011)1441-1451
• K. Hasegawa, S. Nishizawa, and I. Omura,“A Condition Monitoring Method of DC-Link Capacitors Used in a High-Power Three-Phase PWM Inverter with an Evaluation Circuit,” IEEJ Journal of Industry Applications, vol. 8, no. 3, pp. 480-487, 2018.
• Shin-Ichiro Hayashi, Keiji Wada, “Accelerated aging for gate oxide of SiC MOSFETs under continuous switching conditions by applying advanced HTGB test,” Microelectronics Reliability, Volume 126, 2021, 114213, ISSN 0026-2714,
• S. Pu, E. Ugur, F. Yang, and B. Akin, “In situ Degradation Monitoring of SiC MOSFET Based on Switching Transient Measurement,” IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol. 67, no. 6 pp. 5092-5100, 2020.
• X. Ye, C. Chen, Y. Wang, G. Zhai and G. J. Vachtsevanos,“Online Condition Monitoring of Power MOSFET Gate Oxide Degradation Based on Miller Platform Voltage,” IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 32, no. 6, pp. 4776-4784, June 2017.

タイトルに関連する用語 (4件)： ミラー ,  着目 ,  パワーデバイス ,  状態監視