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J-GLOBAL ID：202202282613184080   整理番号：22A0563542

III-Nヘテロ構造の界面接着強度【JST・京大機械翻訳】

Interfacial adhesion strength of III-N heterostructures

著者 (7件)： Walter Thomas (Christian Doppler Laboratory for Lifetime and Reliability of Interfaces in Complex Multi-Material Electronics, CTA, TU Wien, Getreidemarkt 9/164, 1060 Vienna, Austria) ,  Zareghomsheh Mohammad (Christian Doppler Laboratory for Lifetime and Reliability of Interfaces in Complex Multi-Material Electronics, CTA, TU Wien, Getreidemarkt 9/164, 1060 Vienna, Austria) ,  Khatibi Golta (Christian Doppler Laboratory for Lifetime and Reliability of Interfaces in Complex Multi-Material Electronics, CTA, TU Wien, Getreidemarkt 9/164, 1060 Vienna, Austria) ,  Popok Vladimir N. (Department of Materials and Production, Aalborg University, Skjernvej 4A, 9220 Aalborg, Denmark) ,  Kristensen Peter K. (Department of Materials and Production, Aalborg University, Skjernvej 4A, 9220 Aalborg, Denmark) ,  Boturchuk Ievgen (Center for Quantum Devices at Niels Bohr Institute, University of Copenhagen, Universitetsparken 5, 2100 Copenhagen, Denmark) ,  Schwarz Sabine (University Service Center for Transmission Electron Microscopy, TU Wien, Wiedner Hauptstrasse 8-10, 1040 Vienna, Austria)
資料名： Materials & Design  (Materials & Design)
巻： 213  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0495B  ISSN： 0264-1275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III族窒化物やSiCのようなワイドバンドギャップ半導体は,より小さな,より信頼性が高く,効率的なパワーエレクトロニクスの製造のための重要な材料と考えられている。ロバストで耐久性のあるパワーデバイスの作製は,構成薄膜ヘテロ構造の界面付着特性の理解に基づく最適設計を必要とする。本研究では,Si基板上に成長したGaN/AlN層の接着特性を調べた。特に,剥離応答に及ぼすSi上のGaN成長に必要なAlNバッファ層の影響を決定した。断面ナノインデンテーション(CSN)と4点曲げ(4PB)試験を用いて界面付着強度を得た。両方法に対する界面破壊エネルギー(G_ic)を計算するためにそれぞれ適用した梁および弾性板理論に基づく解析モデルは,負荷条件が類似していると良好な一致を示した。詳細な透過と走査電子顕微鏡による剥離は,関連する界面の微細構造の詳細を明らかにし,界面破壊の遭遇する機構への洞察を提供する。最後に,最も弱い界面に沿った剥離の確率を破壊力学モデルに基づいて考察した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  *接着 ,  走査電子顕微鏡 ,  破壊 ,  薄膜 ,  半導体 ,  付着 ,  最適設計 ,  ケイ素 ,  窒化アルミニウム ,  付着強さ ,  パワーエレクトロニクス ,  ロバスト性 ,  解析モデル
準シソーラス用語： 界面破壊 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： III-N半導体 ,  薄膜 ,  剥離 ,  ナノインデンテーション ,  破壊機構 ,  高分解能電子顕微鏡

分類 (1件)： 機械的性質  (WB02030U)

タイトルに関連する用語 (3件)： ヘテロ構造 ,  界面 ,  接着強度