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J-GLOBAL ID：202202282665721651   整理番号：22A0974077

固体中のフォノンのユビキタストポロジカル状態:モデル材料としてのシリコン【JST・京大機械翻訳】

Ubiquitous Topological States of Phonons in Solids: Silicon as a Model Material

著者 (15件)： Liu Yizhou (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics, Department of Physics, Tsinghua University, China) ,  Liu Yizhou (Department of Condensed Matter Physics, Weizmann Institute of Science, Israel) ,  Zou Nianlong (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics, Department of Physics, Tsinghua University, China) ,  Zhao Sibo (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics, Department of Physics, Tsinghua University, China) ,  Chen Xiaobin (School of Science, Harbin Institute of Technology, China) ,  Chen Xiaobin (State Key Laboratory on Tunable laser Technology and Ministry of Industry and Information Technology Key Lab of Micro-Nano Optoelectronic Information System, Harbin Institute of Technology, China) ,  Chen Xiaobin (Collaborative Innovation Center of Extreme Optics, Shanxi University, China) ,  Xu Yong (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics, Department of Physics, Tsinghua University, China) ,  Xu Yong (Tencent, Guangdong, China) ,  Xu Yong (Frontier Science Center for Quantum Information, China) ,  Xu Yong (RIKEN Center for Emergent Matter Science (CEMS), Saitama, Japan) ,  Duan Wenhui (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics, Department of Physics, Tsinghua University, China) ,  Duan Wenhui (Tencent, Guangdong, China) ,  Duan Wenhui (Frontier Science Center for Quantum Information, China) ,  Duan Wenhui (Institute for Advanced Study, Tsinghua University, China)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 22  号： 5  ページ： 2120-2126  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォノンのトポロジー物理学に関する研究は大きな興味を引いているが,適切なモデル材料を必要とする。著者らのab initio計算は,異常に豊富なトポロジーフォノン状態を含む理想的な候補材料としてシリコンを同定した。シリコンでは,任意の表面配向から観察可能なドラムヘッド表面状態を与える量子化Berry位相πによって特性化される様々なトポロジーノード線を同定した。注目すべきことに,二重Fermi-アーク様表面状態によって特徴付けられるが,反転も時間反転対称性の破れも必要としない,新しいタイプのトポロジー的ネクサスフォノンを発見した。歪によるHopf節点リンクのようなnexusフォノンから,Versaileトポロジー状態を作り出すことができる。さらに,対称性解析を他の中心対称系に対して一般化し,多数の候補材料を見出し,固体中のトポロジーフォノンの遍在的存在を実証した。これらの発見は,現実的な材料におけるトポロジーフォノンを研究するための新しい機会と,表面物理学に及ぼすそれらの影響を開く。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  対称性 ,  *フォノン ,  量子化 ,  *ケイ素 ,  節点 ,  *モデル ,  キャラクタリゼーション ,  ギャップ結合 ,  Berry位相
準シソーラス用語： ユビキタス ,  第一原理計算 ,  表面配向 ,  時間反転対称性の破れ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ネクサスフォノン ,  トポロジカルノード線 ,  シリコン ,  フォノンのBerry位相

分類 (3件)： 結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  比熱・熱伝導一般  (BL05021E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 固体 ,  フォノン ,  ユビキタス ,  トポロジカル状態 ,  モデル ,  シリコン