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J-GLOBAL ID：202202282677674743   整理番号：22A0977652

負性微分抵抗増強異常Hall効果に基づく磁気フル加算器【JST・京大機械翻訳】

Magnetic Full Adder Based on Negative Differential Resistance-Enhanced Anomalous Hall Effect

著者 (6件)： Lu Ziyao (School of Materials Science and Engineering and Key Laboratory of Advanced Materials, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Mou Hongming (School of Materials Science and Engineering and Key Laboratory of Advanced Materials, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Pu Yuchen (School of Materials Science and Engineering and Key Laboratory of Advanced Materials, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Wen Yan (Division of Physical Science and Engineering, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, Saudi Arabia) ,  Zhang Xixiang (Division of Physical Science and Engineering, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, Saudi Arabia) ,  Zhang Xiaozhong (School of Materials Science and Engineering and Key Laboratory of Advanced Materials, Tsinghua University, Beijing, China)
資料名： IEEE Magnetics Letters  (IEEE Magnetics Letters)
巻： 13  ページ： ROMBUNNO.4502405.1-5  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2299A  ISSN： 1949-307X  CODEN： IMLEA3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピントロニクス論理素子は,不揮発性メモリコンピューティングを通してvon Neumannボトルネックを破る見通しのために注目を集めている。スピンBoole論理ゲートの品種が提案されているが,スピントロニクスデバイスにおけるCMOSベース論理のカスケード法の応用の困難さのため,加算器のようなスピントロニクス演算論理ユニットは広く研究されていない。スピン-軌道トルクによって駆動される異常Hall効果と幾何学的同調磁化スイッチングに基づくスピントロニクスフル加算器を実験的に実証した。磁気ビットの異常Hall効果は,N型負微分抵抗を有する非線形要素によって強化され,メモリユニットの書き込み電圧を決定するモスフェッツのオン/オフ状態を制御する。メモリユニットにおけるメモリビットの磁化は,幾何学差のため,書き込み電圧が増加するにつれて1つずつスイッチした。磁化スイッチングの順序は,完全加算器の論理関数と一致する入力構成に対するメモリユニットの異常Hall電圧の応答を引き起こした。メモリ書き込みと組み合わせたフル加算器の計算関数を,7つの磁気ビットと2つのステップだけで実験的に実現した。磁気ビットと時間ステップの減少した数は,著者らの装置の空間と時間の効率性を示し,それは実用化に有益である。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  電圧 ,  *加算器 ,  論理関数 ,  論理素子 ,  同調 ,  *磁気 ,  *異常Hall効果 ,  不揮発性メモリ ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： *微分抵抗 ,  *負性微分抵抗 ,  論理ゲート ,  全加算器 ,  磁化スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 強磁性共鳴,反強磁性共鳴,フェリ磁性共鳴  (BM07030P) ,  金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D) ,  磁性材料  (NA04040H) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 負性微分抵抗 ,  増強 ,  異常Hall効果 ,  磁気 ,  加算器