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J-GLOBAL ID:202202282697337276   整理番号:22A0983146

シリコンアノードのための高度に安定な界面相と自己無撞着応力分布放射状勾配多孔質のユニークな構造【JST・京大機械翻訳】

A Unique Structure of Highly Stable Interphase and Self-Consistent Stress Distribution Radial-Gradient Porous for Silicon Anode
著者 (12件):
資料名:
巻: 32  号: 13  ページ: e2107897  発行年: 2022年 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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固体電解質界面の応力破壊と連続成長は,シリコン(Si)アノードによるリチウムイオン電池の破壊に寄与する主な要因である。従来の多孔質構造は典型的にSi材料の強度とタップ密度の減少をもたらす。Siの高い融点と化学的安定性のため,その多孔性構造を調製するための制限方法がある。ここでは,高強度コアと高多孔性シェルを有するコア-シェル勾配多孔質Siを調製するための方法を示した。高強度コアは巨大な体積変化応力に耐えることができる。シェルの豊富な多孔質構造はSEIの安定な存在を確実にする。コア-シェル勾配多孔質構造を有するSiアノード材料は,1Ag-1で100サイクル後に2127mAhg-1(1488mAhg-3)の放電容量,2Ag-1で500サイクル後に1059mAhg-1以上のサイクル安定性,および4Ag-1で1916mAhg-1のレート能力を実現した。これらの結果は,コア-シェル勾配多孔質構造が,充電/放電中のSiベースアノード材料における応力破断と連続SEI成長に対処する新しい研究戦略を提供することを示唆する。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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セラミック・陶磁器の製造 

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