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J-GLOBAL ID：202202282819001502   整理番号：22A1052270

ヘテロ接合ダイオードにおける異常電流電圧とインピーダンス挙動【JST・京大機械翻訳】

Anomalous current-voltage and impedance behaviour in heterojunction diode

著者 (2件)： Dhruv S.D. (Natubhai V. Patel College of Pure and Applied Sciences, Charutar Vidya Mandal University, Vallabh Vidyanagar-388120, Anand, Gujarat, India) ,  Dhruv D.K. (Natubhai V. Patel College of Pure and Applied Sciences, Charutar Vidya Mandal University, Vallabh Vidyanagar-388120, Anand, Gujarat, India)
資料名： Materials Today: Proceedings  (Materials Today: Proceedings)
巻： 54  号： P3  ページ： 974-979  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3531A  ISSN： 2214-7853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： このレビュー論文は,薄膜と薄膜ヘテロ接合ダイオードの構築の基礎に焦点を合わせる。ヘテロ接合ダイオードの電気伝導機構を説明する種々のモデルを明らかにした。整流比(RR),理想因子(n),飽和電流(IS),障壁高さ(φb),ビルトインポテンシャル(vbi)およびキャリア濃度(N)のような電気的パラメータを考察した。低いバイアスとより高いバイアスでのダイオードの伝導機構を詳細に説明した。ダイオードを解析するために用いたインピーダンス分光法も顕著である。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *インピーダンス ,  *ダイオード ,  *電圧 ,  電気伝導 ,  *電流 ,  薄膜 ,  高さ ,  比率 ,  因子 ,  静電容量 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： 飽和電流 ,  理想因子 ,  インピーダンス分光法 ,  障壁高さ ,  伝導機構 ,  整流比 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 薄膜ヘテロ接合ダイオード ,  電流電圧のキャラクタリゼーション ,  静電容量-電圧特性評価 ,  理想因子 ,  障壁高さ ,  インピーダンス分光法

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ヘテロ接合 ,  ダイオード ,  インピーダンス ,  挙動