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J-GLOBAL ID：202202282862269947   整理番号：22A0227044

ゲートバイアス依存性とユニークな成形過程による単層MoS_2チャネルベースゲートバイナリ抵抗ランダムアクセスメモリにおける優れた抵抗スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Superior resistance switching in monolayer MoS₂ channel-based gated binary resistive random-access memory via gate-bias dependence and a unique forming process

著者 (2件)： Ansh (Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bengaluru 560012 Karnataka, India) ,  Shrivastava Mayank (Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bengaluru 560012 Karnataka, India)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 55  号： 8  ページ： 085102 (9pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2D二硫化モリブデン(MoS_2)の抵抗スイッチング(RS)が最近発見された。発見以来,シナプス様挙動を有するMoS_2抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)を示す多くの報告が発表されている。これらの報告は,神経形態学的ハードウェアにおけるMoS_2 RRAMの応用と,従来のバイナリメモリの代替法を強く正当化する。本研究では,そのトランジスタの電気的および信頼性特性に及ぼすCVD成長単層MoS_2ベースゲートRRAMを横切る電流-電圧ヒステリシスサイクルによって誘起されるRSの影響を明らかにした。MoS_2RRAMのスイッチング性能に顕著な影響を与えるRSへのユニークなゲート電圧依存性を同定した。RS挙動はチャネル内の電荷伝導に著しく依存することが分かった。さらに,MoS_2ゲートRRAMが定常状態の電気的応力を受けるとき,可能性のあるデバイス形成事象を示した。ヒステリシスと定常状態の電気的ストレスの両方が,これらのゲートされたRRAMのトランジスタ動作を乱すことが見出され,これは実際にRSの署名として使用することができる。興味深いことに,電流-電圧ヒステリシスは単極RSをもたらしたが,RS測定前の定常状態電気応力はバイポーラRSをもたらした。さらに,このような電気的ストレスの連続した応力サイクルは多重抵抗状態をもたらし,長期増強および長期抑制のようなシナプス特性に似た挙動であり,典型的にはメムリスタに見られる。MoS_2FETで支配的な電荷輸送メカニズムが,定常状態応力誘起デバイス形成と共に,MoS_2チャンネルの電荷輸送機構と定常状態応力誘起形成への依存性から開発された洞察に基づいて,MoS_2系ゲートRRAMで誘起されたRSの程度を決定し,スイッチング性能の改善のためにMoS_2ベースの2元RRAMの使用の前に採用された,特定の定常状態の電気的応力条件を提案した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  電圧 ,  電荷 ,  電流 ,  トランジスタ ,  信頼性 ,  シナプス ,  多重化 ,  ハードウェア ,  二次元 ,  長期増強
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  *抵抗スイッチング ,  *ReRAM ,  メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート ,  バイアス依存性 ,  成形過程 ,  単層 ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  抵抗スイッチング