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J-GLOBAL ID：202202283140125798   整理番号：22A0396691

漏れ積分と火災ニューロンのための電気流体力学印刷フレキシブル有機メモリスタ【JST・京大機械翻訳】

Electrohydrodynamically Printed Flexible Organic Memristor for Leaky Integrate and Fire Neuron

著者 (6件)： Xu Yichun (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, School of Optical and Electronic Information, School of Integrated Circuits, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China) ,  Wang Hongyang (State Key Laboratory of Digital Manufacturing Equipment and Technology, Flexible Electronics Research Center, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China) ,  Ye Dong (State Key Laboratory of Digital Manufacturing Equipment and Technology, Flexible Electronics Research Center, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China) ,  Yang Rui (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, School of Optical and Electronic Information, School of Integrated Circuits, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China) ,  Huang Yongan (State Key Laboratory of Digital Manufacturing Equipment and Technology, Flexible Electronics Research Center, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China) ,  Miao Xiangshui (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, School of Optical and Electronic Information, School of Integrated Circuits, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 43  号： 1  ページ： 116-119  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 良好な柔軟性を有する高分子メモリスタは,ウェアラブルエレクトロニクスにおけるエッジ計算パラダイムのための有望な電子デバイスである。しかし,ほとんどの報告は不揮発性デバイスを示し,それは抵抗ランダムアクセスメモリまたは人工シナプスにおける応用に適している。有機デバイスの抵抗スイッチング特性は揮発性デバイスで通常不安定であるので,人工ニューロン回路に不可欠な揮発性デバイスはほとんど報告されていない。さらに,ほとんどの報告は,従来のメムリスタ製造技術と互換性がない方法でポリマーを使用し,大規模神経形態回路への高分子メムリスタの更なる応用を制限する。このレターでは,Ag/Nafion/Au閾値スイッチングメモリスタを電気流体力学印刷技術により作製し,漏れ統合と火災ニューロン回路のコアとして使用した。閾値スイッチングメモリスタは,優れたデバイスサイズ,良好な耐久性,良好なデバイス対デバイスおよびサイクル対サイクル均一性,柔軟性,および高温における安定性を示す。電気流体力学印刷技術と高分子メムリスタの組合せは,高速メムリスタ生産と大規模エッジ計算ネットワーク回路において有望である。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  重合体 ,  *印刷 ,  互換性 ,  ネットワーク ,  *ニューロン ,  シナプス ,  高分子 ,  揮発性 ,  電子技術 ,  *電気流体力学 ,  生産技術
準シソーラス用語： 抵抗スイッチング ,  印刷技術 ,  *メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 漏れ ,  積分 ,  火災 ,  ニューロン ,  電気流体力学 ,  メモリスタ