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J-GLOBAL ID：202202283896288433   整理番号：22A0943449

0.7BiFeO_3-0.3BaTiO_3系無鉛圧電セラミックの増強された電気歪特性に及ぼすHf→γ4+置換の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of Hf⁴⁺ substitute on the enhanced electrostrain properties of 0.7BiFeO₃-0.3BaTiO₃-based lead-free piezoelectric ceramics

著者 (18件)： Zeng Fangfang (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, PR China) ,  Zeng Fangfang (Key Lab of Functional Materials for Electronic Information (B), MOE, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, PR China) ,  Zhou Chuang (School of Metallurgy and Materials Engineering, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing, 401331, PR China) ,  Zhang Chao (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, PR China) ,  Jiang Lei (Hubei Key Laboratory of Ferro & Piezo-electric Materials and Devices, Faculty of Physics and Electronic Sciences, Hubei University, Wuhan, 430062, PR China) ,  Zhang Jianjia (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, PR China) ,  Zhang Jianjia (Key Lab of Functional Materials for Electronic Information (B), MOE, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, PR China) ,  Guo Huitao (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, PR China) ,  Guo Huitao (Key Lab of Functional Materials for Electronic Information (B), MOE, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, PR China) ,  Chen Yuxin (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, PR China) ,  Chen Yuxin (Key Lab of Functional Materials for Electronic Information (B), MOE, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, PR China) ,  Lu Wenzhong (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, PR China) ,  Lu Wenzhong (Key Lab of Functional Materials for Electronic Information (B), MOE, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, PR China) ,  Cai Wei (School of Metallurgy and Materials Engineering, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing, 401331, PR China) ,  Zhang Guangzu (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, PR China) ,  Hu Yongming (Hubei Key Laboratory of Ferro & Piezo-electric Materials and Devices, Faculty of Physics and Electronic Sciences, Hubei University, Wuhan, 430062, PR China) ,  Fan Guifen (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, PR China) ,  Fan Guifen (Key Lab of Functional Materials for Electronic Information (B), MOE, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, PR China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 48  号： 8  ページ： 10539-10546  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.7Bi_1.05FeO_3-0.3BaHf_xTi_(1-x)O_3(BF-BHT-x)セラミックを通常の方法を用いて調製した。Rietveld精密化,透過型電子顕微鏡(TEM),および圧電力顕微鏡(PFM)により,大きな電気誘起歪の機構を詳細に研究した。立方晶(Pm-3m)と菱面体晶(R3c)相の共存を有するBF-BHT-0.05セラミックは,Rietveld精密化とTEM測定によって証明され,130kV/cm(1Hz)でS_max=0.58%の最大電気誘起歪を有した。還元電位障壁は,立方晶と菱面体晶相の共存による外部電場下のドメインのスイッチングと再配向に有益である。ドメインスイッチングに寄与するミクロドメインに埋め込まれたナノドメインの質量はPFMを通して明らかに観察された。したがって,この知見は,大きな歪が,外部電場が変換混合相を主菱面体晶相,還元ポテンシャル障壁,およびマクロドメインにおけるナノドメインに駆動するからである。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *セラミック ,  相転移 ,  *電歪 ,  *圧電気 ,  再配向 ,  ポテンシャル障壁 ,  立方晶系 ,  三方晶系 ,  力顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  ミクロドメイン
準シソーラス用語： ドメイン構造 ,  ナノドメイン ,  外部電場 ,  *鉛フリー圧電セラミックス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 相転移 ,  大きな電気歪 ,  ドメイン ,  多相共存

分類 (4件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 圧電セラミック ,  増強 ,  歪特性 ,  HF ,  置換