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J-GLOBAL ID：202202284083520405   整理番号：22A1117005

ダイヤモンドとSiCデバイスに基づくハイブリッドパワーモジュールの解析的モデリング【JST・京大機械翻訳】

Analytic modeling of a hybrid power module based on diamond and SiC devices

著者 (7件)： Couret Marine (Universite de Toulouse, LAPLACE, CNRS, UPS, INPT, F-31071 Toulouse, France) ,  Castelan Anne (Universite de Toulouse, LAPLACE, CNRS, UPS, INPT, F-31071 Toulouse, France) ,  Castelan Anne (Institut Catholique d’Arts et Metiers, ICAM, F-31000 Toulouse, France) ,  Donato Nazareno (Engineering Department, Cambridge University, Cambridge, United Kingdom) ,  Udrea Florin (Engineering Department, Cambridge University, Cambridge, United Kingdom) ,  Pernot Julien (Universite Grenoble-Alpes, CNRS, Institut Neel, F-38042 Grenoble, France) ,  Rouger Nicolas (Universite de Toulouse, LAPLACE, CNRS, UPS, INPT, F-31071 Toulouse, France)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 124  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC単極デバイスと異なり,バルク伝導に基づくダイヤモンド単極素子のオン状態抵抗は負の温度係数(NTC)を持ち,高い接合温度で伝導損失を低減する。したがって,これらの対向温度係数を関連付けるために,本論文では,n型4H-SiC MOSFETとp型ダイヤモンドバルクFETデバイスから成るハイブリッドパワーデバイスのモデリングに焦点を当てた。SiCとダイヤモンドデバイスの最適性能とサイジングを,同じ仕様の下で初期ベンチマークとして紹介し,計算した。スイッチングと伝導損失の両方の解析的モデリングに基づいて,接合温度と関連するヒートシンクパラメータ,ハイブリッドデバイス性能を,1200V-1Aと300Kの周囲温度で運転する同期バックコンバータに対して評価した。原稿で記述した結果は,SiC活性面積の2つによる還元と同様に,広範囲の温度にわたるハイブリッドデバイス全損失の平衡を強調する。提案した解析は,代替応用の要求を満たすために,異なる電圧/電流クラスにさらに拡張できた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  電流 ,  *ダイヤモンド ,  *炭化ケイ素 ,  サイジング ,  *モデリング ,  ヒートシンク ,  ベンチマーク ,  温度係数
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  パワーデバイス ,  *パワーモジュール ,  バックコンバータ ,  接合温度 ,  周囲温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ダイヤモンド ,  SiC ,  ハイブリッドデバイス ,  ベンチマーク ,  解析的モデリング

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： ダイヤモンド ,  SiC ,  パワーモジュール ,  解析 ,  モデリング