文献

J-GLOBAL ID：202202284165137620   整理番号：22A0648627

Sb_2Si_2Te_6とBi_2Si_2Te_6の熱電特性の比較研究【JST・京大機械翻訳】

Comparative Study of Thermoelectric Properties of Sb₂Si₂Te₆ and Bi₂Si₂Te₆

著者 (11件)： Jang Hanhwi (Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Republic of Korea) ,  Abbey Stanley (Department of Materials Science and Engineering, Hanbat National University, Republic of Korea) ,  Frimpong Brakowaa (Department of Materials Science and Engineering, Hanbat National University, Republic of Korea) ,  Nguyen Chien Viet (Korea Research Institute of Standards and Science (KRISS), Republic of Korea) ,  Ziolkowski Pawel (Institute of Materials Research, German Aerospace Center (DLR), Germany) ,  Oppitz Gregor (Institute of Materials Research, German Aerospace Center (DLR), Germany) ,  Kim Moohyun (Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Republic of Korea) ,  Song Jae Yong (Korea Research Institute of Standards and Science (KRISS), Republic of Korea) ,  Shin Ho Sun (Korea Research Institute of Standards and Science (KRISS), Republic of Korea) ,  Jung Yeon Sik (Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Republic of Korea) ,  Oh Min-Wook (Department of Materials Science and Engineering, Hanbat National University, Republic of Korea)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 14  号： 1  ページ： 1270-1279  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電荷キャリア輸送と対応する熱電特性は,いくつかのパラメータによってしばしば影響され,詳細な伝導機構の詳細な理解のための完全な比較研究を必要とする。ここでは,モデル系として,2つの層状半導体Sb_2Si_2Te_6とBi_2Si_2Te_6の電子輸送特性を比較した。両材料は類似の粒径と形態を有するが,それらの伝導特性は著しく異なる。相境界散乱がBi_2Si_2Te_6の主要因の1つであり,顕著な電荷キャリア散乱を経験するが,Sb_2Si_2Te_6は現象によって比較的影響を受けないことを見出した。さらに,Sb_2Si_2Te_6における広範な点欠陥散乱は,その格子熱伝導率を著しく減少させ,広い温度範囲にわたって高いzT値をもたらした。これらの知見は,これらの材料内の電子輸送への新たな洞察を提供し,それらの熱電性能をさらに改善するための戦略を導くべきである。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *散乱 ,  点欠陥 ,  熱伝導率 ,  半導体 ,  キャリア ,  相境界 ,  *電気特性 ,  熱電材料
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  輸送特性 ,  電荷キャリア ,  格子熱伝導率 ,  *熱電特性 ,  点欠陥散乱 ,  伝導機構 ,  電子輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 熱電材料 ,  ヘテロ界面 ,  位相境界散乱 ,  点欠陥 ,  熱伝導率

分類 (2件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (2件)： 熱電特性 ,  研究