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J-GLOBAL ID：202202284230476327   整理番号：22A0492410

GaNテンプレート上に成長させたAl勾配分極誘起p型AlGaNにおける正孔移動度挙動【JST・京大機械翻訳】

Hole mobility behavior in Al-gradient polarization-induced p-type AlGaN grown on GaN template

著者 (11件)： Chen Chung-Chi (Institute of Photonics and Optoelectronics, and Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, No. 1, Section 4, Roosevelt Road, Taipei 10617, Taiwan) ,  Huang Ting-Chun (Institute of Photonics and Optoelectronics, and Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, No. 1, Section 4, Roosevelt Road, Taipei 10617, Taiwan) ,  Lin Yu-Wei (Institute of Photonics and Optoelectronics, and Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, No. 1, Section 4, Roosevelt Road, Taipei 10617, Taiwan) ,  Lin Yu-Ren (Institute of Photonics and Optoelectronics, and Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, No. 1, Section 4, Roosevelt Road, Taipei 10617, Taiwan) ,  Wu Ping-Hsiu (Institute of Photonics and Optoelectronics, and Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, No. 1, Section 4, Roosevelt Road, Taipei 10617, Taiwan) ,  Liou Ping-Wei (Institute of Photonics and Optoelectronics, and Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, No. 1, Section 4, Roosevelt Road, Taipei 10617, Taiwan) ,  Hsieh Hao-Yu (Institute of Photonics and Optoelectronics, and Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, No. 1, Section 4, Roosevelt Road, Taipei 10617, Taiwan) ,  Huang Yang-Yi (Institute of Photonics and Optoelectronics, and Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, No. 1, Section 4, Roosevelt Road, Taipei 10617, Taiwan) ,  Yang Shaobo (Institute of Photonics and Optoelectronics, and Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, No. 1, Section 4, Roosevelt Road, Taipei 10617, Taiwan) ,  Wu Yuh-Renn (Institute of Photonics and Optoelectronics, and Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, No. 1, Section 4, Roosevelt Road, Taipei 10617, Taiwan) ,  Yang C. C. (Institute of Photonics and Optoelectronics, and Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, No. 1, Section 4, Roosevelt Road, Taipei 10617, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 2  ページ： 022103-022103-5  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： c軸に沿ってAl含有量を減少させるAlGaN層を有する一連の試料を,偏光誘起p型挙動を生成するための分子線エピタキシーを有するGaNテンプレート上に成長させた。0.15%/nmのAl勾配速度と100nmのAlGaN層厚さを固定して,それらの試料の中心Al含有量を変化させ,中心Al含有量に対する正孔移動度の依存性を研究した。中心Al含有量が増加するにつれて,正孔移動度は,約40%で分割された2つのAl含有量範囲で,2つの異なる減少勾配で単調に減少した。引張歪緩和はAl含有量が約40%より高い時に観察され,その結果,全分極勾配の増加,従って正孔濃度が増加した。AlGaN中の穴の合金散乱強度の変化は,>40%のAl含有量範囲での正孔移動度のより小さい減少勾配をサポートできるが,圧電散乱や結合電荷分布のような他の因子は完全な解釈のために考慮する必要がある。Al含有量25%のMgドープp型AlGaNと比較して,分極誘起p型AlGaNは,同じ正孔濃度において,より高い正孔移動度レベルを提供することができた。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 合金 ,  散乱 ,  *分極 ,  偏光 ,  *アルミニウム ,  圧電気 ,  ドーピング ,  電荷分布 ,  緩和現象 ,  *窒化ガリウム ,  MBE成長
準シソーラス用語： *窒化アルミニウムガリウム ,  引張歪 ,  *正孔移動度 ,  正孔濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (10件)： GaN ,  テンプレート ,  成長 ,  Al ,  勾配 ,  分極 ,  誘起 ,  AlGaN ,  正孔移動度 ,  挙動